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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 在20nm的二氧化硅层上rie100nm的孔洞 光刻胶为pmma，匀胶300nm，请问曝光时间强度
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东环小苦逼

新虫 (初入文坛)

[求助] 在20nm的二氧化硅层上rie100nm的孔洞 光刻胶为pmma，匀胶300nm，请问曝光时间强度 已有2人参与

哪位大侠能给出具体光刻步骤和参数   在下不胜感激
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1楼 2014-01-15 19:00:23
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
谁卖给你的胶，你要去找谁。如果不知道那儿来的胶，千万别用。
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2楼2014-01-16 16:21:08
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Annica

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
曝光与你的设备及光刻胶厚度有关系。
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3楼2014-01-16 21:03:48
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定风波~

金虫 (小有名气)
你做这个是做什么用的呢？
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4楼2014-01-16 21:03:59
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fyl1989

金虫 (正式写手)
建议找卖胶的公司要一份你这型号光刻胶的说明（包括匀胶、转速等参数），但是针对不同的EBL设备，建议先做一下dose test，并且pmma的厚度对刻蚀也有影响，如果可以的话用ZEP 520做etch mask还是不错的。
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5楼2014-01-17 13:56:12
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定风波~

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2014-01-16 16:21:08
谁卖给你的胶，你要去找谁。如果不知道那儿来的胶，千万别用。

这个是做什么用的？
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6楼2014-02-19 14:27:31
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东环小苦逼

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by 定风波~ at 2014-02-19 14:27:31
这个是做什么用的？...

选择性外延长InP纳米线
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7楼2014-09-29 09:44:37
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