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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 关于半导体中电子浓度的问题
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Jalain

新虫 (小有名气)

[交流] 关于半导体中电子浓度的问题 已有2人参与

请问在半导体中载流子的掺杂浓度最大可以达到多少，达到更高浓度的限制条件是什么？
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1楼 2013-09-27 10:58:53
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明君2010

新虫 (小有名气)
★
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我接触的材料，GaAs n型掺杂，

1e18/cm2 就是高掺杂；

低的是1e16/cm2
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9楼2013-10-10 04:35:48
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gorgan

木虫之王 (文学泰斗)

无意苦争春
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
取决于击穿电压，参见雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿相关知识
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无我相，无人相，无众生相，无寿者相
2楼2013-09-27 11:09:09
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Jalain

新虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by gorgan at 2013-09-27 11:09:09
取决于击穿电压，参见雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿相关知识

我是说在没有加电压的情况下，如果不加电压的话，应该也不能无限制的掺杂下去吧，对于一般的半导体，比如锗、硅、GaAs等材料他们都有掺杂的上限吗？
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3楼2013-09-27 11:25:23
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gorgan

木虫之王 (文学泰斗)

无意苦争春
引用回帖:
3楼: Originally posted by Jalain at 2013-09-27 11:25:23
我是说在没有加电压的情况下，如果不加电压的话，应该也不能无限制的掺杂下去吧，对于一般的半导体，比如锗、硅、GaAs等材料他们都有掺杂的上限吗？...

无限制的掺杂下去，工艺上也不允许呀，半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高温（热）扩散和离子注入，具体掺杂上限取决于工艺限制和具体材料特性
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无我相，无人相，无众生相，无寿者相
4楼2013-09-27 11:31:59
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