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汕头大学海洋科学接受调剂
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Jalain

新虫 (小有名气)

[交流] 关于半导体中电子浓度的问题 已有2人参与

请问在半导体中载流子的掺杂浓度最大可以达到多少,达到更高浓度的限制条件是什么?
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gorgan

木虫之王 (文学泰斗)

无意苦争春

引用回帖:
3楼: Originally posted by Jalain at 2013-09-27 11:25:23
我是说在没有加电压的情况下,如果不加电压的话,应该也不能无限制的掺杂下去吧,对于一般的半导体,比如锗、硅、GaAs等材料他们都有掺杂的上限吗?...

无限制的掺杂下去,工艺上也不允许呀,半导体的常用掺杂技术主要有两种,即高温(热)扩散和离子注入,具体掺杂上限取决于工艺限制和具体材料特性
无我相,无人相,无众生相,无寿者相
4楼2013-09-27 11:31:59
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gorgan

木虫之王 (文学泰斗)

无意苦争春


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
取决于击穿电压,参见雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿相关知识
无我相,无人相,无众生相,无寿者相
2楼2013-09-27 11:09:09
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Jalain

新虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by gorgan at 2013-09-27 11:09:09
取决于击穿电压,参见雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿相关知识

我是说在没有加电压的情况下,如果不加电压的话,应该也不能无限制的掺杂下去吧,对于一般的半导体,比如锗、硅、GaAs等材料他们都有掺杂的上限吗?
3楼2013-09-27 11:25:23
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Jalain

新虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by gorgan at 2013-09-27 11:31:59
无限制的掺杂下去,工艺上也不允许呀,半导体的常用掺杂技术主要有两种,即高温(热)扩散和离子注入,具体掺杂上限取决于工艺限制和具体材料特性...

可以给一个具体的例子吗,具体的材料特性是什么特性?
5楼2013-09-27 13:56:29
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