24小时热门版块排行榜    

查看: 1738  |  回复: 9

Jalain

新虫 (小有名气)

[交流] 关于半导体中电子浓度的问题 已有2人参与

请问在半导体中载流子的掺杂浓度最大可以达到多少,达到更高浓度的限制条件是什么?
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:

已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

gorgan

木虫之王 (文学泰斗)

无意苦争春


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
取决于击穿电压,参见雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿相关知识
无我相,无人相,无众生相,无寿者相
2楼2013-09-27 11:09:09
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

Jalain

新虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by gorgan at 2013-09-27 11:09:09
取决于击穿电压,参见雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿相关知识

我是说在没有加电压的情况下,如果不加电压的话,应该也不能无限制的掺杂下去吧,对于一般的半导体,比如锗、硅、GaAs等材料他们都有掺杂的上限吗?
3楼2013-09-27 11:25:23
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

gorgan

木虫之王 (文学泰斗)

无意苦争春

引用回帖:
3楼: Originally posted by Jalain at 2013-09-27 11:25:23
我是说在没有加电压的情况下,如果不加电压的话,应该也不能无限制的掺杂下去吧,对于一般的半导体,比如锗、硅、GaAs等材料他们都有掺杂的上限吗?...

无限制的掺杂下去,工艺上也不允许呀,半导体的常用掺杂技术主要有两种,即高温(热)扩散和离子注入,具体掺杂上限取决于工艺限制和具体材料特性
无我相,无人相,无众生相,无寿者相
4楼2013-09-27 11:31:59
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

Jalain

新虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by gorgan at 2013-09-27 11:31:59
无限制的掺杂下去,工艺上也不允许呀,半导体的常用掺杂技术主要有两种,即高温(热)扩散和离子注入,具体掺杂上限取决于工艺限制和具体材料特性...

可以给一个具体的例子吗,具体的材料特性是什么特性?
5楼2013-09-27 13:56:29
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

gorgan

木虫之王 (文学泰斗)

无意苦争春


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
5楼: Originally posted by Jalain at 2013-09-27 13:56:29
可以给一个具体的例子吗,具体的材料特性是什么特性?...

掺杂的最高极限约10^21 atoms/cm^3
最低约10^13 atoms/cm^3
无我相,无人相,无众生相,无寿者相
6楼2013-09-27 14:54:53
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

Jalain

新虫 (小有名气)

很有帮助,谢谢
7楼2013-09-29 08:33:50
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

Jalain

新虫 (小有名气)

引用回帖:
6楼: Originally posted by gorgan at 2013-09-27 14:54:53
掺杂的最高极限约10^21 atoms/cm^3
最低约10^13 atoms/cm^3...

很有帮助,谢谢
8楼2013-09-29 08:34:10
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

明君2010

新虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
我接触的材料,GaAs n型掺杂,

1e18/cm2 就是高掺杂;

低的是1e16/cm2
9楼2013-10-10 04:35:48
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

Jalain

新虫 (小有名气)

GaAs 18应该算是高掺了
10楼2013-10-11 21:09:54
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 Jalain 的主题更新
普通表情 高级回复 (可上传附件)
信息提示
请填处理意见