应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 在掺杂P型半导体里带隙变大的可能原因
31/1返回列表
查看: 3542  |  回复: 11
查看全部回帖 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

王建春198728

金虫 (小有名气)

[求助] 在掺杂P型半导体里带隙变大的可能原因

小弟在在掺杂P型半导体里观察到了带隙变大，可是找不出可能的原因。只知道在N型半导体里掺杂带隙变大可能由于B-M迁移，很纠结。
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
成功
1楼 2013-08-05 09:04:55
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

wangyong832

银虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
王建春198728: 金币+2 2013-08-08 19:57:59
P型半导体一般不会出现BM shift. 能带比较窄，载流子比较集中。
看看是不是别的原因，比如形成新相，缺陷带，价带变化等
赞一下 回复此楼
8楼2013-08-08 19:25:08
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

wangyong832

银虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
王建春198728: 金币+2 2013-08-09 09:17:09
引用回帖:
9楼: Originally posted by 王建春198728 at 2013-08-08 19:49:39
我猜想可能是价带的下移，可是咋样能证明它的移动？...

这个我见过有人结合XPS UPS XAS一起弄过。但是最好原位测量XPS UPS
你能测功函数和电离能 似乎也行。
最方便的方法是理论计算啊
   纯个人拙见
赞一下 回复此楼
10楼2013-08-09 04:05:34
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 王建春198728 的主题更新
31/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭