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王建春198728

金虫 (小有名气)

[求助] 在掺杂P型半导体里带隙变大的可能原因

小弟在在掺杂P型半导体里观察到了带隙变大,可是找不出可能的原因。只知道在N型半导体里掺杂带隙变大可能由于B-M迁移,很纠结。
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wangyong832

银虫 (著名写手)

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★ ★
王建春198728: 金币+2 2013-08-08 19:57:59
P型半导体一般不会出现BM shift. 能带比较窄,载流子比较集中。
看看是不是别的原因,比如形成新相,缺陷带,价带变化等
8楼2013-08-08 19:25:08
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wangyong832

银虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
王建春198728: 金币+2 2013-08-09 09:17:09
引用回帖:
9楼: Originally posted by 王建春198728 at 2013-08-08 19:49:39
我猜想可能是价带的下移,可是咋样能证明它的移动?...

这个我见过有人结合XPS UPS XAS一起弄过。但是最好原位测量XPS UPS
你能测功函数和电离能 似乎也行。
最方便的方法是理论计算啊
   纯个人拙见
10楼2013-08-09 04:05:34
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