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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » GaN的掺杂问题
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国际生日

银虫 (初入文坛)

[求助] GaN的掺杂问题

请问各位大侠，关于掺杂Mg的GaN，会有自发极化场的产生，如果用Al来部分替代Ga的话，那么还是有自发极化场的产生，请问他们自发极化场的产生机理有什么不同啊，我觉得没有啊，那位什么他们的电阻率呈现完全不同啊？
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1楼 2013-05-30 11:01:31
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leo10202

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

自发极化不是掺杂导致的,是GaN的晶格结构不对称造成的.
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Stoic
2楼2013-06-03 21:40:54
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国际生日

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by leo10202 at 2013-06-03 21:40:54
自发极化不是掺杂导致的,是GaN的晶格结构不对称造成的.

恩，但是有一点我不清楚，Ga（Al）N的电阻率的单调性居然相反，我想不通为什么，
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3楼2013-06-04 22:59:22
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