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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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MANOWAR

金虫 (正式写手)


[交流] 做外延三五族氮化物薄膜,有时需要高阻材料,这是为什么?

也就是说,高阻氮化物薄膜有什么用途?电阻如何测量?貌似是用霍尔测试比较困难。
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alienpig

木虫 (正式写手)


★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-09-10 08:08:56
楼主指的高电阻薄膜是什么?是用在什么方面?问题太宽泛了
一般来讲,做mosfet或者hemt,需要接近本征或者是补偿掺杂的半导体做cap或者buffer,也就是高阻。以减小Gate leakage和drain-substrate leakage。
霍尔效应的确超量程,不过这种电阻值一般不需要知道啊。
希望有帮助

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2楼2012-09-10 00:05:17
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MANOWAR

金虫 (正式写手)


送鲜花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by alienpig at 2012-09-10 00:05:17
楼主指的高电阻薄膜是什么?是用在什么方面?问题太宽泛了
一般来讲,做mosfet或者hemt,需要接近本征或者是补偿掺杂的半导体做cap或者buffer,也就是高阻。以减小Gate leakage和drain-substrate leakage。
霍尔效 ...

谢谢您的回答~
其实就是蓝宝石上外延的GaN薄膜,很多研究或者介绍都说非故意掺杂的GaN显示为n型,并且背景载流子浓度也挺高,于是我就想知道一下外延的GaN薄膜电阻率应该为多少,但是测不太出来。
为什么背景电子浓度挺高,但是电阻值又很大呢?不是应该比较低才对么?
另外,对于HEMT,如果采用蓝宝石衬底,蓝宝石是绝缘的,那么所谓的漏-衬底漏电的物理机制是什么?此外,栅一般不是都做在势垒层上么?还可能有介质,那么buffer层电阻率提高了,又是怎么减少栅漏电的呢?
请大侠不吝赐教~先送上鲜花一朵~
3楼2012-09-10 08:57:35
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alienpig

木虫 (正式写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
3楼: Originally posted by MANOWAR at 2012-09-10 08:57:35
谢谢您的回答~
其实就是蓝宝石上外延的GaN薄膜,很多研究或者介绍都说非故意掺杂的GaN显示为n型,并且背景载流子浓度也挺高,于是我就想知道一下外延的GaN薄膜电阻率应该为多少,但是测不太出来。
为什么背景电子 ...

大侠算不上,矬人一个
我试着说一说吧,一般认为会有蓝宝石中的氧扩散进buffer,导致杂质高,但并不一定导致电阻值大,因为可能会有mocvd时引入的C杂质,类似补偿掺杂。另外,一般用作hemt的wafer中buffer会进行Fe掺杂,进行补偿。
至于漏电,我也不是很清楚,个人理解是如果衬底漏电,那么相当于增加了一个导电通路,bulk的迁移率肯定低于2DEG的,对gm,Id肯定是很不利的。也就电子Drain->Sub->Source。Gate-Drain leakage和击穿有关系吧。
介质什么的工艺一直都是难点吧,表面有很多trapping,我记得还有一个什么电流崩塌效应就跟这个有关。
4楼2012-09-11 01:46:22
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lin14051

至尊木虫 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
顶楼上!
如果使用蓝宝石衬底,由于蓝宝石材料本身的导热率很差,所以不适合制作HEMT等微波功率器件,制作LED还是可以的。
为了提高导热率,衬底通常采用SiC,由于SiC衬底的绝缘性不是很好,获得高阻的SiC衬底的成本太高,所以必须提高充当buffer层的GaN材料的电阻率,使得HEMT器件中2DEG与衬底隔离开。
5楼2012-09-21 16:44:56
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lin14051

至尊木虫 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
一般认为 GaN生长过程中,衬底与GaN之间存在扩散,蓝宝石衬底中的O,SiC衬底中的Si,都是GaN中的施主杂质,会导致GaN与衬底之间形成一层导电沟道,这个沟道对HEMT等高频器件的影响很大,如果GaN材料不是高阻的,将会使得2DEG与底层导电沟道相连通,恶化器件的高频特性。
6楼2012-09-21 16:51:22
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