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杂化泛函求大家帮助
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刚开始接触杂化泛函计算带隙,自己也查了一些东西,有点疑问请教大家,先感谢。 我先列一下计算硅能带的步骤,希望大家给看一下: 1先正常结构优化,GGA-PBE; 2.将CONTCAR 转为POSCAR,INCAR中去掉离子步做静态计算,得CHGCAR 3.将CHGCAR 文件拷过来,设置ICHGCAR=11,LWAVE=.TURE.,IBRION=-1,设置杂化泛函参数: LHFCALC = .TRUE. HFSCREEN = 0.2 (To conform with the HSE06 functional you need to select (HFSCREEN=0.2)) ALGO = Damped TIME = 0.4 ENCUTFOCK = 0 AEXX=? 4.BAND计算; 拷贝上一步的WAVECAR,然后设置新的KPOINTS,计算即可。 关于以上步骤,大侠们帮忙看下有没有不妥的地方,另外有个小白问题,就是HSE00.HSE03,HSE06有什么区别么,是不是指AEXX的比列不同啊? 希望大家踊跃讨论下杂化泛函,你理解的杂化泛函,谢谢各位。 |
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liliangfang
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6楼2013-03-23 10:59:42
liliangfang
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http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3613684 仅供参考,至于参数可参照vasp说明书,03 06 有一点不同,说明书上面有介绍 |
2楼2013-03-22 15:42:16
3楼2013-03-22 20:32:02
liliangfang
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