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密度泛函的区别与选择？ 已有1人参与
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最近准备使用第一性原理来计算CdTe半导体，不知道选用哪个Functional，特来请教！ 在MS的castep模块下的Functional选项就有：LDA、GGA、HF、HF-LDA、sX、sX-LDA、PBE0、B3LYP。 这些函数在理论处理上有什么区别？是否针对不同的体系选择也不同？除了这些函数，还有其他使用比较广泛的函数吗？ 请做简要的说明即可。谢谢！ |
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目前半导体计算比较广泛使用的杂化泛函是HSE06，CASTEP在6.0版本以后就有此泛函。 LDA和GGA应该不必做什么说明了吧，而且种类也繁多。HF也没什么好介绍的了。 HF-LDA指的是Ex部分采用HF，而Ec部分采用LDA的部分。PBE0（25%HF，基于微扰理论）、B3LYP(20%HF)这些都是基本的杂化泛函。PBE0一般计算光学性质还算可以；B3对主族元素还行，高自旋态的体系不好。 sX是屏蔽Coulomb方法，sX-LDA则类似HF-LDA，交换部分考虑Coulomb屏蔽。 HSE除了前面的介绍，理论层次上说，在PBE0基础上考虑了range-separated（Coulomb屏蔽）。其特点是计算带隙相对其他泛函较为准确。但是按照Heyd论文的说法，应力、模量计算似乎不好。 M11L在VASP中可以使用，从D.G.Truhlar的文章中显示其计算带隙也还行，做法如A.D.Becke拟合的成分很大，也是range-separated型的，但属于Meta-GGA。从我自己经验上来看带隙不及HSE，有时候结果好坏比较计算的体系。 大体就知道这么多了。 |
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