| 查看: 3749 | 回复: 16 | ||||
[求助]
杂化泛函求大家帮助
|
||||
|
刚开始接触杂化泛函计算带隙，自己也查了一些东西，有点疑问请教大家，先感谢。 我先列一下计算硅能带的步骤，希望大家给看一下: 1先正常结构优化，GGA-PBE； 2.将CONTCAR 转为POSCAR，INCAR中去掉离子步做静态计算，得CHGCAR 3.将CHGCAR 文件拷过来，设置ICHGCAR=11，LWAVE=.TURE.，IBRION=-1，设置杂化泛函参数： LHFCALC = .TRUE. HFSCREEN = 0.2 (To conform with the HSE06 functional you need to select (HFSCREEN=0.2)) ALGO = Damped TIME = 0.4 ENCUTFOCK = 0 AEXX=? 4.BAND计算； 拷贝上一步的WAVECAR，然后设置新的KPOINTS，计算即可。 关于以上步骤，大侠们帮忙看下有没有不妥的地方，另外有个小白问题，就是HSE00.HSE03，HSE06有什么区别么，是不是指AEXX的比列不同啊？ 希望大家踊跃讨论下杂化泛函，你理解的杂化泛函，谢谢各位。 |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 VASP相关 | 杂化泛函方面的研究 |
» 猜你喜欢
材料调剂
已经有4人回复
-
面上模板改不了页边距吧？
已经有6人回复
-
307求调剂
已经有6人回复
-
304求调剂
已经有5人回复
-
317一志愿华南理工电气工程求调剂
已经有8人回复
-
272求调剂
已经有3人回复
-
化工专硕348，一志愿985求调剂
已经有6人回复
-
292求调剂
已经有3人回复
-
290求调剂
已经有6人回复
-
295求调剂
已经有5人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 求解一个特定的泛函变分问题
已经有8人回复
- HSE计算的一些问题，希望大家帮我解决谢谢
已经有13人回复
- VASP杂化泛函计算太密度
已经有3人回复
- 密度泛函的区别与选择？
已经有4人回复
- 杂化泛函屏蔽参数的设置
已经有4人回复
- PBE0方法在高斯里怎么输入来确定含有的杂化泛函的比例的？
已经有3人回复
- 杂化泛函计算不写入wavecar
已经有9人回复
- castep里面如何使用杂化泛函 HSE
已经有4人回复
- vasp计算中如何让选取泛函和赝势
已经有6人回复
- 请问可以调整杂化泛函hf成分以得到和实验相近的结果？
已经有5人回复
- 关于杂化泛函的问题
已经有4人回复
- 分享一个使用杂化泛函计算稀磁半导体的ppt
已经有38人回复
- 【文献学习】Li,Na掺杂ZnO空穴的杂化密度泛函计算(PRB，2009)
已经有21人回复
- 【专家在线答疑贴之三】杂化泛函计算FAQ
已经有28人回复
- vasp 杂化泛函HSE 它怎么就不run涅？
已经有12人回复
- [悬赏交流]大家讨论一下vasp中HF以及杂化泛函的应用吧
已经有34人回复
- 【求助】含时密度泛函计算金团簇的激发态输出出错
已经有8人回复
- 【求助】泛函分析教材
已经有7人回复
- 【求助】求助关于各杂化密度泛函在计算上适用性 计算结果优劣分析
已经有8人回复
- 【求助】关于杂化泛函HSE计算
已经有20人回复
- 【求助】求问一个寻找最优解问题，是泛函问题么
已经有22人回复
liliangfang
荣誉版主 (著名写手)
- 1ST强帖: 7
- 应助: 138 (高中生)
- 贵宾: 0.952
- 金币: 10648.7
- 散金: 4575
- 红花: 42
- 沙发: 3
- 帖子: 1856
- 在线: 825.2小时
- 虫号: 1275010
- 注册: 2011-04-23
- 性别: GG
- 专业: 微/纳机械系统
- 管辖: 第一性原理
10楼2013-04-28 14:40:53
liliangfang
荣誉版主 (著名写手)
- 1ST强帖: 7
- 应助: 138 (高中生)
- 贵宾: 0.952
- 金币: 10648.7
- 散金: 4575
- 红花: 42
- 沙发: 3
- 帖子: 1856
- 在线: 825.2小时
- 虫号: 1275010
- 注册: 2011-04-23
- 性别: GG
- 专业: 微/纳机械系统
- 管辖: 第一性原理
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
韩D小希: 金币+10, ★★★★★最佳答案 2013-03-23 10:22:07
感谢参与，应助指数 +1
韩D小希: 金币+10, ★★★★★最佳答案 2013-03-23 10:22:07
|
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3613684 仅供参考，至于参数可参照vasp说明书，03 06 有一点不同，说明书上面有介绍 |
2楼2013-03-22 15:42:16
3楼2013-03-22 20:32:02
liliangfang
荣誉版主 (著名写手)
- 1ST强帖: 7
- 应助: 138 (高中生)
- 贵宾: 0.952
- 金币: 10648.7
- 散金: 4575
- 红花: 42
- 沙发: 3
- 帖子: 1856
- 在线: 825.2小时
- 虫号: 1275010
- 注册: 2011-04-23
- 性别: GG
- 专业: 微/纳机械系统
- 管辖: 第一性原理
4楼2013-03-23 09:26:40
|
恩 是我参数的失误，把ENCUTFOCK=o 换成PRECFOCK=F 就好了 VASP版本的问题 另外在麻烦您帮看下我按照您的步骤得到的硅的能带图， 您可以看到，十分的尖锐，这是否是由于ISMEAR=0导致没有展宽造成的呢。这样子图片未免有点丑，请问您是怎么处理的呢。 另外我们都知道能带横坐标是K点，在用DFT计算的时候很容易标定，但是现在HSE后，我的IBZKPT内有36个kpoints，高对称点为81个（就是之前不用杂化泛函的时候选择的k点路径）加起来一共117个，但是现在从EIGENVAL中的数据看，每一条带分成了235个K点，那此时怎么对横坐标进行标定呢，谢谢您  未命名.jpg |
5楼2013-03-23 10:21:53
liliangfang
荣誉版主 (著名写手)
- 1ST强帖: 7
- 应助: 138 (高中生)
- 贵宾: 0.952
- 金币: 10648.7
- 散金: 4575
- 红花: 42
- 沙发: 3
- 帖子: 1856
- 在线: 825.2小时
- 虫号: 1275010
- 注册: 2011-04-23
- 性别: GG
- 专业: 微/纳机械系统
- 管辖: 第一性原理
6楼2013-03-23 10:59:42
7楼2013-03-23 12:32:59
liliangfang
荣誉版主 (著名写手)
- 1ST强帖: 7
- 应助: 138 (高中生)
- 贵宾: 0.952
- 金币: 10648.7
- 散金: 4575
- 红花: 42
- 沙发: 3
- 帖子: 1856
- 在线: 825.2小时
- 虫号: 1275010
- 注册: 2011-04-23
- 性别: GG
- 专业: 微/纳机械系统
- 管辖: 第一性原理
8楼2013-03-23 15:25:05
|
本帖内容被屏蔽 |
9楼2013-04-28 12:12:48
