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请教制备薄膜时不同的退火方式
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磁控溅射制备薄膜，需要退火，想用以下三种方法： 1.溅射完后，800度通氧气一小时，再降到室温 2.溅射完后，从800度降到一个固定的温度（如300度），设定一个固定的时间（比如一小时），此过程通氧气，然后再降到室温 3.溅射完后，取出薄膜放入管式炉中通氧气800度下一小时，再降到室温 请教下第二种方法算退火吗？如果算的话这三种方式分别是什么？原位退火or？？？有什么区别和影响？ |
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