|
|
[求助]
请教制备薄膜时不同的退火方式
磁控溅射制备薄膜，需要退火，想用以下三种方法：
1.溅射完后，800度通氧气一小时，再降到室温
2.溅射完后，从800度降到一个固定的温度（如300度），设定一个固定的时间（比如一小时），此过程通氧气，然后再降到室温
3.溅射完后，取出薄膜放入管式炉中通氧气800度下一小时，再降到室温
请教下第二种方法算退火吗？如果算的话这三种方式分别是什么？原位退火or？？？有什么区别和影响？ |
» 收录本帖的淘帖专辑推荐
» 猜你喜欢
OpenAI又攻克数学难题了，离AI做有机合成还有多远？
已经有6人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有10人回复
-
售SCI一区文章，我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有9人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O55.1.O.54,科目全,可十急
已经有8人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有7人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有9人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有8人回复
-
售SCI-T0P文章，我:8O.5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有8人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有7人回复
-
售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急
已经有8人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
|
回复此楼
