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破晓初春

金虫 (正式写手)

[求助] 请教制备薄膜时不同的退火方式

磁控溅射制备薄膜,需要退火,想用以下三种方法:
1.溅射完后,800度通氧气一小时,再降到室温
2.溅射完后,从800度降到一个固定的温度(如300度),设定一个固定的时间(比如一小时),此过程通氧气,然后再降到室温
3.溅射完后,取出薄膜放入管式炉中通氧气800度下一小时,再降到室温
请教下第二种方法算退火吗?如果算的话这三种方式分别是什么?原位退火or???有什么区别和影响?
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wangbo1966

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

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破晓初春: 金币+10, 是为了补充氧量提高结晶度,第二种是边通氧气边降温度,直至300度,再在300度保温一小时(不断氧气),然后断氧降到室温,这样效果会比较差么? 2013-03-08 06:34:52
chemlh: 欢迎积极交流 2013-03-11 14:04:23
三种都算退火。
要看你退火的目的,如果是为了提高结晶度和补充氧含量,第一种方法的原位退火效果应该最好,第三种次之,而第二种效果最差。因为是在300℃保温,原子扩散能力相对较弱,因此对结晶度和补氧量的作用都相对较低。
10楼2013-03-07 17:01:18
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