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IBE刻蚀孔结构不均匀问题
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我在对105nm的铝进行IBE刻蚀的时候，出现了结构刻蚀不均匀的情况（结构中间处刻透，但周围没刻透），请问这是什么原因？ 结构为：400nm宽，1600nm长的十字孔结构。 |
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 薄膜材料的表征 | 薄膜材料和器件制备 |
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【答案】应助回帖
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yanhualover: 金币+3, 谢谢提供如此详尽的答复。期待更精彩。 2013-02-01 07:37:21
yanhualover: 金币+3, 谢谢提供如此详尽的答复。期待更精彩。 2013-02-01 07:37:21
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纳米所刻的？ 我们先假设IBE没有问题。因为做的是变剂量，所以显影之后会有显透或者没显透的部分，或者是显透或显过的部分，或者这些情况都有。那么在IBE的刻蚀下，会呈现不同剂量下的图形，存在很明显的不均匀性。也就是说，有的刻过了，有的没刻到。不知道你现在是不是这个现象？如果你只是有一部分图形是如你所说，那部分图形就是剂量小，没有显透的图形。 如果是所有的图形都像你说的那样，那虽然不能排除光刻的原因，但就要考虑刻蚀的问题了。因为只有在光刻全部显透，刻蚀不够的情况下，才会出现全片都是你说的情况。 现在我们考虑IBE的刻蚀原理，离子束刻蚀，离子是不聚焦的，打出来的离子，会存在一定的散射角，这个角度有时候很大。因此IBE的工件台是可以倾斜的。我们相像一下，如果片子不倾斜，那么在线条中间的刻蚀能量，就会比边上大，中间会先刻蚀光，而线条边缘由于光刻胶侧壁的阻挡，受到的能量小，所以后刻蚀光。所以会通过倾斜片子来解决问题，而片子的倾斜角度，离子束的发散角，片子回正的时间，都要相互配合，否则对于精细线条刻蚀会有比较严重的不均匀。一般来说，IBE的刻蚀都是均匀的，工艺已经调整到比较好的状态的。像你这种情况，有可能是iIBE的工艺设定问题。其实一般来说，大家在设计的时候都会考虑过刻一下，即使衬底受到一些影响，也在设计之初考虑到这个因素，这样线条的边缘就可以保证刻透。如果对衬底被刻蚀不能接受，实际上应该考虑RIE的金属刻蚀，或者是做一层buffer。 |
7楼2013-01-28 00:03:45
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8楼2013-01-28 00:18:20
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10楼2013-01-28 08:20:44
