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求VASP操作过程怎么进行以及相关问题
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1. 先建立晶胞。然后设置参数优化晶胞，然后找一套方案A使晶胞参数误差较小。 2.用优化好的结构做一个真空层。那么做的这个真空层是否需要方案A优化呢？ 3.然后向该体系放入吸附质。再次使用方案A优化，寻找最佳吸附位点。 过程是这样的吗？ 还有就是我的k去9X9X1，那么晶胞参数中a，b，c中c有很大的误差，这时我该怎么做？ 我加入的吸附质也需要方案A优化吗？ 吸附质放入体系中需要改变k吗？ 当系统默认cutoff 是400ev的时候我取800ev为什么误差比500ev大呢？ |
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3楼2013-01-01 02:03:32
hakuna
木虫 (知名作家)
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
楚笑笑生: 金币+5 2013-01-01 02:03:54
csgt0: 金币+1, 谢谢 2013-01-04 08:58:05
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楚笑笑生: 金币+5 2013-01-01 02:03:54
csgt0: 金币+1, 谢谢 2013-01-04 08:58:05
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你发错地方了，应该发在第一原理的VASP版。 如果你是做催化的，上述基本路数是对的，表述不是那么标准。 首先，建立晶胞，优化晶胞参数； 其次，根据优化好的晶胞参数，截取表面，多少层自己定，预留真空层厚度要在10埃以上； 最后，加入吸附物，测试若干典型吸附位上的吸附能，确定优势吸附位点。 优化晶胞参数时，测试不同K点，直到晶格参数不再变化...... 优化吸附体系时，也需要测试K点...... 取出的表面和吸附体系需要优化，根据情况，表面放开2-4层优化即可.... 至于991K点时，a,b,c误差很大，不知道你要干什么..... 能量截断需要测试，每次都要收敛才好，理论上该值越大，计算精度越高，实际么并不总是如此，计算机的计算总是近似的....... |
2楼2012-12-31 19:33:44
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