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关于XPS溅射或者叫刻蚀
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我的几个粉末样品，负载型，就是在纯氧化物上负载碱金属盐，样品做了XPS表征，并做了两次刻蚀，15秒和30秒。 有几个疑问： 1.未刻蚀的样品用C1s的284.8eV校正，刻蚀后的样品还是需要用这个数值校正吗？ 刻蚀的目的是什么呢？我看了一篇文献说是刻蚀可以将表面的污染去除，这个意思是不是刻蚀后的样品不用校正呢？ 2.我做了纯碳酸钾的样品的XPS并刻蚀两次，如果每次都校正，得到的谱峰是偏差0.8eV，若刻蚀的样品不校正则是不偏差的。 怎么解释啊，该按照哪个标准啊，头疼啊，大侠救命啊！！ |
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zyhou
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送鲜花一朵
pzypdl: 金币+3, 谢谢回帖交流，呵呵 2012-12-29 20:00:21
wangxiaozj: 金币+10, 谢谢！ 2012-12-30 09:05:57
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送鲜花一朵pzypdl: 金币+3, 谢谢回帖交流，呵呵 2012-12-29 20:00:21
wangxiaozj: 金币+10, 谢谢！ 2012-12-30 09:05:57
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好问题！真的没有认真考虑过！ 端详了半天，貌似应该是：如果未刻蚀的样品用C1s的284.8eV校正的，那么刻蚀后的样品还是需要用这个数值校正。因为这个仪器的偏差在这么短的时间内不应该会有太大变化！ 刻蚀的目的是让表面清洁，比如可以将某些表面的积碳清除，而使内部的金属、载体暴露出来，看看有没有变化！ Applied Surface Science, Volume 233, Issues 1–4, 30 June 2004, Pages 58-68 Applied Catalysis A: General, Volume 253, Issue 2, 28 October 2003, Pages 381-387 刻蚀的l另外一个目的则是可以将表面的覆盖层剥落，从而使得某些核壳结构的材料中核暴露出来！ Applied Catalysis A: General, Volume 352, Issues 1–2, 15 January 2009, Pages 259-264 |
2楼2012-12-29 19:41:16
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cxqtitan: 金币+1, 谢谢回帖 2012-12-30 19:42:13
wangxiaozj: 金币+10, 谢谢！！ 2012-12-31 08:29:36
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有几个疑问： 1.未刻蚀的样品用C1s的284.8eV校正，刻蚀后的样品还是需要用这个数值校正吗？ 刻蚀后要具体问题具体分析，如果刻蚀后就没有C那肯定无从谈起用C校正；如果还有那此时就可能是体系的C，要用这个C的结合能校正 刻蚀的目的是什么呢？我看了一篇文献说是刻蚀可以将表面的污染去除，这个意思是不是刻蚀后的样品不用校正呢？ 刻蚀是为了去除表面吸附的C和O, 有的时候由于样品表面容易O化，如果不刻蚀结论可能就是错误的。 2.我做了纯碳酸钾的样品的XPS并刻蚀两次，如果每次都校正，得到的谱峰是偏差0.8eV，若刻蚀的样品不校正则是不偏差的。 这个时候可以实际问题实际分析，如果有这种问题可以不校正。 |
8楼2012-12-30 19:29:41
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