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wangxiaozj

木虫 (小有名气)


[交流] 关于XPS溅射或者叫刻蚀

我的几个粉末样品,负载型,就是在纯氧化物上负载碱金属盐,样品做了XPS表征,并做了两次刻蚀,15秒和30秒。
有几个疑问:
1.未刻蚀的样品用C1s的284.8eV校正,刻蚀后的样品还是需要用这个数值校正吗?
刻蚀的目的是什么呢?我看了一篇文献说是刻蚀可以将表面的污染去除,这个意思是不是刻蚀后的样品不用校正呢?
2.我做了纯碳酸钾的样品的XPS并刻蚀两次,如果每次都校正,得到的谱峰是偏差0.8eV,若刻蚀的样品不校正则是不偏差的。

怎么解释啊,该按照哪个标准啊,头疼啊,大侠救命啊!!
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匿名

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13楼2018-04-26 15:57:18
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
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pzypdl: 金币+3, 谢谢回帖交流,呵呵 2012-12-29 20:00:21
wangxiaozj: 金币+10, 谢谢! 2012-12-30 09:05:57
好问题!真的没有认真考虑过!

端详了半天,貌似应该是:如果未刻蚀的样品用C1s的284.8eV校正的,那么刻蚀后的样品还是需要用这个数值校正。因为这个仪器的偏差在这么短的时间内不应该会有太大变化!

刻蚀的目的是让表面清洁,比如可以将某些表面的积碳清除,而使内部的金属、载体暴露出来,看看有没有变化!
Applied Surface Science, Volume 233, Issues 1–4, 30 June 2004, Pages 58-68
Applied Catalysis A: General, Volume 253, Issue 2, 28 October 2003, Pages 381-387

刻蚀的l另外一个目的则是可以将表面的覆盖层剥落,从而使得某些核壳结构的材料中核暴露出来!
Applied Catalysis A: General, Volume 352, Issues 1–2, 15 January 2009, Pages 259-264
2楼2012-12-29 19:41:16
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xieshil

铁杆木虫 (小有名气)


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missu001: 金币+2, 感谢回帖 2012-12-30 11:49:45
wangxiaozj: 金币+5 2012-12-31 08:30:42
一般操作上刻蚀前可以使用C校正,而刻蚀后大多数好像使用Ar校正。因为这个时候C已经被剥离,信号会很差。并且很多情况下之后C的信号基本上监测不到的情况下才认为刻蚀的目的达到了,显然这个时候使用C校正不是很准确。
另外如果仅仅考虑前后差别以及峰的移动的话,也可以不做校正。
3楼2012-12-30 09:31:07
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leiws

至尊木虫 (职业作家)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
有时候样品会随着刻蚀而在表面发生氧化还原反应...有点难说...检索下这方面的paper吧,应该不少的
5楼2012-12-30 10:51:16
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