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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 分析 » 【求助】XPS分析时采用的Ar离子刻蚀速度通常是多少呢
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曾是一条鱼3968

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】XPS分析时采用的Ar离子刻蚀速度通常是多少呢 已有6人参与

我做了一次XPS分析，听老师的意见做了10min的Ar离子刻蚀，但忘记问老师刻蚀速度是多少了，不知道这十分钟刻蚀掉多厚，请问哪位大侠对这方面有了解，请帮帮我，谢谢啦
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1楼 2010-04-05 17:53:30
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xianfen.wa

为什么呢？

★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
我也在做xps，
怎么没有这一步啊？

LZ可否解释一下刻蚀的原因啊？
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2楼2010-04-05 19:33:24
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xianfen.wa

再问一下

这种刻蚀会改变材料表面的特性么？

我做的是膜，如果刻蚀的厚度较大，
岂不是反而污染样品了？

希望和LZ探讨一下啊
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3楼2010-04-05 19:37:07
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曾是一条鱼3968

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by 曾是一条鱼3968 at 2010-04-05 17:53:30:
我做了一次XPS分析，听老师的意见做了10min的Ar离子刻蚀，但忘记问老师刻蚀速度是多少了，不知道这十分钟刻蚀掉多厚，请问哪位大侠对这方面有了解，请帮帮我，谢谢啦

刻蚀的目的就是为了去除表面上的一些污染，如碳等
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4楼2010-04-05 19:44:15
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曾是一条鱼3968

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by xianfen.wa at 2010-04-05 19:33:24:
我也在做xps，
怎么没有这一步啊？

LZ可否解释一下刻蚀的原因啊？

刻蚀应该不会改变表面成分，它只是很少量的去除表面的一些污染，但如果你对你的东西不是很了解，去除量大的话，应该会影响到一些物质的表征吧，尤其是膜，不过据我了解很多做膜的人做XPS时也是会适当的刻蚀的，因为碳的污染会造成影响，所以适当的刻蚀应该是有必要的
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5楼2010-04-05 19:46:54
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tof-sims

银虫 (小有名气)
★ ★
佳怡(金币+2):感谢回复 2010-05-31 21:05:17
Ar得溅射速度与仪器的设定参数，和样品有关，不同样品溅射速率都不一样，一般意义上的溅射速率，才有标准的SiO2样品来标定仪器的溅射速率
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6楼2010-05-30 08:55:39
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elionix

★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
一般是1nm/min。
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7楼2010-06-04 15:57:14
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guojun1029

银虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
用多大的能量，比如500eV 1000eV的能量刻，只是出去表面的氧化层或者碳。
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8楼2012-01-11 17:14:16
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艾的纪念

金虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
XPS刻蚀速度在金属及金属氧化物表面约为0.28 nm/s，在有机物表面会更快
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9楼2015-03-01 12:45:47
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