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溅射时,晶面取向对薄膜的影响
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今天看到一篇文献说溅射时,晶体(靶材)的密排面优先被溅射出来,但是只是概述,没有引文,也没说为什么,所以我想问问大家有没有人知道这个原理的?或者有相关的具体的文献的,能分享下不,感激不尽! 另外,下面是我的一些理解 拿金来说吧,面心立方,密排面为111,按我的理解原则上密排面上原子排列紧密,原子间距为0.5*sqrt(a),键能大,那么溅射时需要的能量不是更高吗?怎么能优先溅射? 而且想的多了突然又想到键长、键能概念。面心立方中,Au有两种位置,一是边角位置,二是面心位置,那么(边角——边角)和(边角——面心)两者的核间距不一样,那么键能也应该是不一样的了,那么我们平时说的那个键长和键能又是什么?我感觉自己把自己绕进去了。。。。 或者是我哪里理解错了吗? 而且按着这个思路继续发散下去的话,不同位置的Au被轰击出来时的能量就是不一样的,那么沉积的薄膜的性能不同,是这个道理吗? [ Last edited by aujoniy on 2012-12-3 at 20:25 ] |
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