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溅射时，晶面取向对薄膜的影响
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今天看到一篇文献说溅射时，晶体（靶材）的密排面优先被溅射出来，但是只是概述，没有引文，也没说为什么，所以我想问问大家有没有人知道这个原理的？或者有相关的具体的文献的，能分享下不，感激不尽！ 另外，下面是我的一些理解 拿金来说吧，面心立方，密排面为111，按我的理解原则上密排面上原子排列紧密，原子间距为0.5*sqrt(a)，键能大，那么溅射时需要的能量不是更高吗？怎么能优先溅射？ 而且想的多了突然又想到键长、键能概念。面心立方中，Au有两种位置，一是边角位置，二是面心位置，那么（边角——边角）和（边角——面心）两者的核间距不一样，那么键能也应该是不一样的了，那么我们平时说的那个键长和键能又是什么？我感觉自己把自己绕进去了。。。。 或者是我哪里理解错了吗？ 而且按着这个思路继续发散下去的话，不同位置的Au被轰击出来时的能量就是不一样的，那么沉积的薄膜的性能不同，是这个道理吗？ [ Last edited by aujoniy on 2012-12-3 at 20:25 ] |
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 薄膜材料和器件制备 |
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