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溅射时,晶面取向对薄膜的影响
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aujoniy
木虫
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(幼儿园)
金币: 2194.9
帖子: 169
在线: 52.2小时
虫号: 914551
[交流]
溅射时,晶面取向对薄膜的影响
今天看到一篇文献说溅射时,晶体(靶材)的密排面优先被溅射出来,但是只是概述,没有引文,也没说为什么,所以我想问问大家有没有人知道这个原理的?或者有相关的具体的文献的,能分享下不,感激不尽!
另外,下面是我的一些理解
拿金来说吧,面心立方,密排面为111,按我的理解原则上密排面上原子排列紧密,原子间距为0.5*sqrt(a),键能大,那么溅射时需要的能量不是更高吗?怎么能优先溅射?
而且想的多了突然又想到键长、键能概念。面心立方中,Au有两种位置,一是边角位置,二是面心位置,那么(边角——边角)和(边角——面心)两者的核间距不一样,那么键能也应该是不一样的了,那么我们平时说的那个键长和键能又是什么?我感觉自己把自己绕进去了。。。。
或者是我哪里理解错了吗?
而且按着这个思路继续发散下去的话,不同位置的Au被轰击出来时的能量就是不一样的,那么沉积的薄膜的性能不同,是这个道理吗?
[
Last edited by aujoniy on 2012-12-3 at 20:25
]
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2012-12-02 23:20:39
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★
aujoniy(金币+1): 谢谢参与
chemlh: 欢迎积极交流
2012-12-04 07:53:30
晶面的形成,一般都是形成能最低的晶面优先形成的。对于密排面,形成能地,所以优先形成。
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5楼
2012-12-03 08:39:00
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wu1008
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★
aujoniy(金币+1): 谢谢参与
chemlh: 欢迎积极交流
2012-12-03 07:19:25
你是说,轰击材料的时候,材料不同晶面的溅射速率不一样,还是什么?没有明白你的意思!
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2楼
2012-12-03 00:08:20
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aujoniy
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2楼
:
Originally posted by
wu1008
at 2012-12-03 00:08:20
你是说,轰击材料的时候,材料不同晶面的溅射速率不一样,还是什么?没有明白你的意思!
是轰击材料,不是生成的薄膜,抱歉没说明白
[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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10楼
2012-12-03 12:59:49
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aujoniy
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3楼
:
Originally posted by
userhung
at 2012-12-03 07:26:58
是轰击溅射?
是的
[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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11楼
2012-12-03 13:01:46
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