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llg1987

金虫 (知名作家)

鱼馆的鲢鱼,其他家族的小罗

[求助] 带电荷的缺陷的形成能

最近计算缺陷遇到几个问题,想请教一下大家
1,下面公式的后面三项分别是什么?在vasp中怎么去得到那三个具体的数值?
2,后面的三项我看了很多都是对半导体来求的,对于晶体属于金属,是否可以利用这个公式来求形成能?如果不行,应该怎么求?
3,公式中的电荷q应该怎么确定?是不是需要用bader电荷来分析器带电啊?
首先感谢大家了!

QQ截图20121009133041.jpg
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llg1987

金虫 (知名作家)

鱼馆的鲢鱼,其他家族的小罗

引用回帖:
2楼: Originally posted by fzx2008 at 2012-10-10 16:17:42
1.formation energies公式中各项在文献J. Appl. Phys. 95, 3851 (2004)中间有详尽解释。First-principles calculations for defects and impurities: Applications to III-nitrides
3.与用bader电荷无关,文献中也 ...

对于金属的晶体,那个价带顶的能量应该怎么去求呢?
国学养生堂家族欢迎您!http://emuch.net/bbs/group.php?gid=119
3楼2012-10-10 16:51:10
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查看全部 8 个回答

fzx2008

荣誉版主 (著名写手)

优秀版主优秀版主

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
llg1987: 金币+3, 有帮助 2012-10-10 16:49:34
liliangfang: 金币+2, 谢谢交流 2012-10-10 17:33:14
1.formation energies公式中各项在文献J. Appl. Phys. 95, 3851 (2004)中间有详尽解释。First-principles calculations for defects and impurities: Applications to III-nitrides
3.与用bader电荷无关,文献中也有说明
2楼2012-10-10 16:17:42
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stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
fzx2008: 金币+2, 谢谢指教! 2012-10-11 12:20:04
llg1987: 金币+5, ★★★很有帮助, 非常感谢 2012-10-11 18:00:46
引用回帖:
3楼: Originally posted by llg1987 at 2012-10-10 16:51:10
对于金属的晶体,那个价带顶的能量应该怎么去求呢?...

金属体系不存在带电缺陷,带电缺陷是在有带隙的材料中可能存在。所以对于金属体系,最后一项不需要的。
4楼2012-10-11 12:17:03
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stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
llg1987: 金币+5, ★★★★★最佳答案, 感谢 2012-10-11 18:01:27
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流, 2012-12-10 22:26:03
公式中的q是缺陷的带电态而不是Bader电荷。
最后括号三项,第二项是体材料(没有缺陷)的价带顶的值,第一项是变量,是电子或者空穴可能的占据位置,成为费米能级,它取值范围是在价带顶与导带底之间,第三项是修正项,为了消除计算时带电点缺陷之间的库仑作用以及带电点缺陷与补偿的背景电荷的作用的影响。导带顶和带隙可通过能带计算得到,而最后的修正项可通过静电势文件处理得到。
金属材料部存在带电缺陷,所以最后括号的那项没有。
查看我以前回复的帖子,有讨论。
5楼2012-10-11 12:24:26
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