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llg1987金虫 (知名作家)
鱼馆的鲢鱼，其他家族的小罗
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带电荷的缺陷的形成能
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最近计算缺陷遇到几个问题，想请教一下大家 1，下面公式的后面三项分别是什么？在vasp中怎么去得到那三个具体的数值？ 2，后面的三项我看了很多都是对半导体来求的，对于晶体属于金属，是否可以利用这个公式来求形成能？如果不行，应该怎么求？ 3，公式中的电荷q应该怎么确定？是不是需要用bader电荷来分析器带电啊？ 首先感谢大家了！  QQ截图20121009133041.jpg |
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2楼2012-10-10 16:17:42
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4楼2012-10-11 12:17:03
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【答案】应助回帖
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llg1987: 金币+5, ★★★★★最佳答案, 感谢 2012-10-11 18:01:27
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流， 2012-12-10 22:26:03
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franch: 金币+2, 谢谢回帖交流， 2012-12-10 22:26:03
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公式中的q是缺陷的带电态而不是Bader电荷。 最后括号三项，第二项是体材料（没有缺陷）的价带顶的值，第一项是变量，是电子或者空穴可能的占据位置，成为费米能级，它取值范围是在价带顶与导带底之间，第三项是修正项，为了消除计算时带电点缺陷之间的库仑作用以及带电点缺陷与补偿的背景电荷的作用的影响。导带顶和带隙可通过能带计算得到，而最后的修正项可通过静电势文件处理得到。 金属材料部存在带电缺陷，所以最后括号的那项没有。 查看我以前回复的帖子，有讨论。 |
5楼2012-10-11 12:24:26
zhouxing1002
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