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llg1987金虫 (知名作家)
鱼馆的鲢鱼，其他家族的小罗
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[求助]
带电荷的缺陷的形成能
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最近计算缺陷遇到几个问题，想请教一下大家 1，下面公式的后面三项分别是什么？在vasp中怎么去得到那三个具体的数值？ 2，后面的三项我看了很多都是对半导体来求的，对于晶体属于金属，是否可以利用这个公式来求形成能？如果不行，应该怎么求？ 3，公式中的电荷q应该怎么确定？是不是需要用bader电荷来分析器带电啊？ 首先感谢大家了！  QQ截图20121009133041.jpg |
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