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wydzyx2003

金虫 (正式写手)

[求助] 带电缺陷的相关问题

大家好,
最近在计算半导体缺陷形成能,有几个问题需要向大家请教:
1 计算带电缺陷体系 能带 的时候 与中性体系能带 有什么区别, 也需要设置体系带电么?
2 如何确定一中缺陷应该带什么电,以及带电量的多少?
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enola

捐助贵宾 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
wydzyx2003: 金币+2, ★有帮助, 多谢回复,能回答的更详细些么?尤其第二个问题。 2012-09-29 21:24:44
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2012-09-30 18:37:01
1. 能带有区别
2. 设置NELECT
timeflies..
2楼2012-09-29 11:11:26
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enola

捐助贵宾 (正式写手)

★
fzx2008: 金币+1, 谢谢回帖! 2012-10-03 12:30:20
在INCAR里设置NELECT,通常下你的NELECT是原子的电子数,如果想带正电,就减去一个,负电加一个
timeflies..
3楼2012-10-03 08:48:03
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wydzyx2003

金虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by enola at 2012-10-03 08:48:03
在INCAR里设置NELECT,通常下你的NELECT是原子的电子数,如果想带正电,就减去一个,负电加一个

谢谢,我想问的是怎么确定 缺陷最可能带正电还是负电以及带多少电荷呢?
4楼2012-10-03 11:41:14
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enola

捐助贵宾 (正式写手)

这个就是用差分电荷法,先优化好结构,然后计算中性条件下的电荷密度图,同样再计算带点情况下的电荷密度,相减,看电荷密度分布
timeflies..
5楼2012-10-05 08:44:48
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