[交流] 【求助】请教高手：杂质形成能计算问题已有5人参与

Originally posted by kuangwei1984 at 2011-02-23 16:56:14:
ZnO氧位取代掺杂，杂质形成能计算公式中Ef=E（掺杂后体系总能）- E（未掺杂体系总能）- nE（取代原子体材料能量）+ n/2 E（O2固态分子能量）中，最后一项 “E（O2固态分子能量）”在MS castep中是如何计算的？是不 ...

Originally posted by freshman8185 at 2011-04-10 11:09:41:
请教楼主个问题？那个E（掺杂后体系总能）是看计算后的那个文件的？他有直接给出数的吗？我用的是CASTEP，谢谢

Originally posted by bingmou at 2011-02-23 16:57:41:
一般来说对于分子是不用固态分子，而是采用很大的原胞里面放一个分子来计算的，因为在实验中不是采用固态O进行合成的，而是通入氧气

Originally posted by guolianshun at 2011-05-26 09:18:48:
把O2放多大空胞算啊

Originally posted by bingmou at 2011-05-26 11:01:26:
15x15x15吧

Originally posted by guolianshun at 2011-05-26 15:46:09:
X  Y  Z？

Originally posted by kuangwei1984 at 2011-02-23 16:56:14:
ZnO氧位取代掺杂，杂质形成能计算公式中Ef=E（掺杂后体系总能）- E（未掺杂体系总能）- nE（取代原子体材料能量）+ n/2 E（O2固态分子能量）中，最后一项 “E（O2固态分子能量）”在MS castep中是如何计算的？是不 ...

Originally posted by peng.029 at 2011-05-26 19:12:04:
这里的形成能公式可能不完整，请仔细斟酌是否需要考虑带电荷态的缺陷形成能计算，对于半导体材料，比较普遍。