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vaspstudy

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】如何确定缺陷态有几个电子在带隙中

以上问题在半导体的缺陷或杂质的研究中经常见到,请高手指点如何确定。感觉可能要从态密度入手,
第一、如果认为态密度费米能级以下为全满,以上为全空,好像不好定量判断缺陷态在带隙中的具体电子数;
第二、如果将态密度从价带顶到费米能级直接积分,也不好办,一方面因为缺陷引入后带边本身已有些模糊,另一方面因为如此积分后得到的数值不见得是整数。
总之,感觉以上两种方法好像皆不可行。具体该如何操作,期待高手指点,谢谢!
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vaspstudy

银虫 (小有名气)

自己顶!

[ Last edited by vaspstudy on 2010-10-16 at 10:42 ]
2楼2010-10-16 10:37:52
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vaspstudy

银虫 (小有名气)

怎么没人回,没人做过这方面的东西吗,做过的请指教,不胜感谢
3楼2010-10-16 18:03:03
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bingmou

金虫 (著名写手)

★ ★
mazuju028(金币+2):谢谢交流 2010-10-17 10:08:58
不要那么着急,才一天而已。而且你这个也是比较专业的问题。
但是我有一个问题:什么叫缺陷态中的电子数在带隙中?缺陷态是一个能级,只有被占据、半占据、全空三种状态,,缺陷态有的在VBM下面,有的在gap中。在VBM下面的全占据,在gap中有可能是半占据,那就直接积分就行了阿,全空那就是没有。而且为什么电子数一定要是整数呢?
4楼2010-10-16 18:55:57
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vaspstudy

银虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by bingmou at 2010-10-16 18:55:57:
不要那么着急,才一天而已。而且你这个也是比较专业的问题。
但是我有一个问题:什么叫缺陷态中的电子数在带隙中?缺陷态是一个能级,只有被占据、半占据、全空三种状态,,缺陷态有的在VBM下面,有的在gap中。在 ...

谢谢,我是看缺陷形成能相关文献才有以上问题的。缺陷态会出现在带隙,需要知道带隙中缺陷态的电子占据数,看C G Van de walle等的文献都会说这些缺陷态的占据数,而且都是整数(不是整数好像也没法分析形成能),我就是想请教这些带隙中的缺陷态占据数是怎么确定出来的?请版主能再指点一下,谢谢!
5楼2010-10-16 19:39:36
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bingmou

金虫 (著名写手)

我之前也看过这些文献,感觉这些都是在计算的时候直接修改电子数来得到所谓的transition level
6楼2010-10-16 20:29:12
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