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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】如何确定缺陷态有几个电子在带隙中
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vaspstudy

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】如何确定缺陷态有几个电子在带隙中

以上问题在半导体的缺陷或杂质的研究中经常见到，请高手指点如何确定。感觉可能要从态密度入手，
第一、如果认为态密度费米能级以下为全满，以上为全空，好像不好定量判断缺陷态在带隙中的具体电子数；
第二、如果将态密度从价带顶到费米能级直接积分，也不好办，一方面因为缺陷引入后带边本身已有些模糊，另一方面因为如此积分后得到的数值不见得是整数。
总之，感觉以上两种方法好像皆不可行。具体该如何操作，期待高手指点，谢谢！
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1楼 2010-10-16 09:13:53
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vaspstudy

银虫 (小有名气)
怎么没人回，没人做过这方面的东西吗，做过的请指教，不胜感谢
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3楼2010-10-16 18:03:03
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vaspstudy

银虫 (小有名气)
自己顶！

[ Last edited by vaspstudy on 2010-10-16 at 10:42 ]
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2楼2010-10-16 10:37:52
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bingmou

金虫 (著名写手)
★ ★
mazuju028(金币+2):谢谢交流 2010-10-17 10:08:58
不要那么着急，才一天而已。而且你这个也是比较专业的问题。
但是我有一个问题：什么叫缺陷态中的电子数在带隙中？缺陷态是一个能级，只有被占据、半占据、全空三种状态，，缺陷态有的在VBM下面，有的在gap中。在VBM下面的全占据，在gap中有可能是半占据，那就直接积分就行了阿，全空那就是没有。而且为什么电子数一定要是整数呢？
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4楼2010-10-16 18:55:57
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vaspstudy

银虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by bingmou at 2010-10-16 18:55:57:
不要那么着急，才一天而已。而且你这个也是比较专业的问题。
但是我有一个问题：什么叫缺陷态中的电子数在带隙中？缺陷态是一个能级，只有被占据、半占据、全空三种状态，，缺陷态有的在VBM下面，有的在gap中。在 ...

谢谢，我是看缺陷形成能相关文献才有以上问题的。缺陷态会出现在带隙，需要知道带隙中缺陷态的电子占据数，看C G Van de walle等的文献都会说这些缺陷态的占据数，而且都是整数（不是整数好像也没法分析形成能），我就是想请教这些带隙中的缺陷态占据数是怎么确定出来的？请版主能再指点一下，谢谢！
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5楼2010-10-16 19:39:36
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