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kuangwei1984

新虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】请教高手:杂质形成能计算问题 已有5人参与

ZnO氧位取代掺杂,杂质形成能计算公式中Ef=E(掺杂后体系总能)- E(未掺杂体系总能)- nE(取代原子体材料能量)+ n/2 E(O2固态分子能量)中,最后一项 “E(O2固态分子能量)”在MS castep中是如何计算的?是不是氧的计算需按三重态?谢谢
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bingmou

金虫 (著名写手)

★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
zzy870720z(金币+2): 谢谢指教 2011-02-23 21:09:18
一般来说对于分子是不用固态分子,而是采用很大的原胞里面放一个分子来计算的,因为在实验中不是采用固态O进行合成的,而是通入氧气
2楼2011-02-23 16:57:41
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freshman8185

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by kuangwei1984 at 2011-02-23 16:56:14:
ZnO氧位取代掺杂,杂质形成能计算公式中Ef=E(掺杂后体系总能)- E(未掺杂体系总能)- nE(取代原子体材料能量)+ n/2 E(O2固态分子能量)中,最后一项 “E(O2固态分子能量)”在MS castep中是如何计算的?是不 ...

请教楼主个问题?那个E(掺杂后体系总能)是看计算后的那个文件的?他有直接给出数的吗?我用的是CASTEP,谢谢
3楼2011-04-10 11:09:41
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guolianshun

铜虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by freshman8185 at 2011-04-10 11:09:41:
请教楼主个问题?那个E(掺杂后体系总能)是看计算后的那个文件的?他有直接给出数的吗?我用的是CASTEP,谢谢

这个直接给
4楼2011-05-26 09:17:22
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guolianshun

铜虫 (著名写手)

★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
Originally posted by bingmou at 2011-02-23 16:57:41:
一般来说对于分子是不用固态分子,而是采用很大的原胞里面放一个分子来计算的,因为在实验中不是采用固态O进行合成的,而是通入氧气

把O2放多大空胞算啊
5楼2011-05-26 09:18:48
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bingmou

金虫 (著名写手)

★
youzhizhe(金币+1): 谢谢交流。 2011-05-26 19:26:09
引用回帖:
Originally posted by guolianshun at 2011-05-26 09:18:48:
把O2放多大空胞算啊

15x15x15吧
6楼2011-05-26 11:01:26
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guolianshun

铜虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by bingmou at 2011-05-26 11:01:26:
15x15x15吧

X  Y  Z?
7楼2011-05-26 15:46:09
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bingmou

金虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by guolianshun at 2011-05-26 15:46:09:
X  Y  Z?

晶胞大小
8楼2011-05-26 19:03:35
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peng.029

捐助贵宾 (小有名气)

★ ★
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zzy870720z(金币+1): 谢谢建议 2011-05-26 20:50:04
引用回帖:
Originally posted by kuangwei1984 at 2011-02-23 16:56:14:
ZnO氧位取代掺杂,杂质形成能计算公式中Ef=E(掺杂后体系总能)- E(未掺杂体系总能)- nE(取代原子体材料能量)+ n/2 E(O2固态分子能量)中,最后一项 “E(O2固态分子能量)”在MS castep中是如何计算的?是不 ...

这里的形成能公式可能不完整,请仔细斟酌是否需要考虑带电荷态的缺陷形成能计算,对于半导体材料,比较普遍。
上善若水。
9楼2011-05-26 19:12:04
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freshman8185

金虫 (正式写手)

★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
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Originally posted by peng.029 at 2011-05-26 19:12:04:
这里的形成能公式可能不完整,请仔细斟酌是否需要考虑带电荷态的缺陷形成能计算,对于半导体材料,比较普遍。

是的是的,我正想要这方便的资料呢,请问你那有吗?我应该怎么考虑呢,我看很多形成能的图都是以费米面为横坐标的?请问这是怎么弄的啊?谢谢
10楼2011-05-27 21:38:57
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