| 查看: 1612 | 回复: 3 | ||
轻轻飘过之金虫 (正式写手)
|
[求助]
带电缺陷的计算
|
|
我在计算带电缺陷时，在INCAR中用参数NELECT来设置的带电背景，但在计算中（弛豫，静态等计算过程）老是显示新的点和密度与老的电荷密度不一致的错误提示，请问这种提示是否对计算结果造成影应该在影响？另外，在做静态计算时是否也应该在INCAR中设置NELECT 参数？本人是设置了。 附件中是出现的错误提示，希望能够得到高手的指教！谢谢！另外，在计算带电缺陷时，是不是只在INCAR中加入NELECT这个参数就可以了？ [ Last edited by 轻轻飘过之 on 2011-11-27 at 11:20 ] |
回复此楼» 本帖附件资源列表
-
欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。
本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 156342 (2).t
2011-11-27 10:56:41, 4.33 K
» 猜你喜欢
一志愿沪9，326求生物学调剂
已经有7人回复
-
化工学硕294分，求导师收留
已经有24人回复
-
085600材料与化工329分求调剂
已经有10人回复
-
284求调剂
已经有10人回复
-
复试调剂
已经有18人回复
-
310求调剂
已经有16人回复
-
274求调剂
已经有7人回复
-
245求调剂
已经有7人回复
-
有爆料，一个青年教师卖房得400万，然后换了一个四青帽子
已经有11人回复
-
290求调剂
已经有15人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 求助VASP 处理带电缺陷的问题！能量变化太大
已经有10人回复
- 计算Cl-在Fe表面吸附问题时体系加电荷方法
已经有27人回复
- 缺陷D在q电子态下的形成能的计算
已经有8人回复
- 表面带电缺陷体系VASP计算参数设置和模型搭建
已经有8人回复
- 【求助】如何计算离子态的缺陷？
已经有16人回复
- 【求助完毕】硫酸根离子的结构优化，偶极修正及势能修正。
已经有20人回复
- 【其他】缺陷形成能与电中性要求
已经有12人回复
- 【求助】ZnO中的缺陷荷电状态怎么定
已经有11人回复
- 【原创】如何计算中性杂质的形成能
已经有66人回复
2楼2011-11-27 14:11:04
enola
捐助贵宾 (正式写手)
- 1ST强帖: 2
- 应助: 13 (小学生)
- 金币: 1485.9
- 散金: 1549
- 红花: 14
- 帖子: 847
- 在线: 102.5小时
- 虫号: 947564
- 注册: 2010-01-24
- 专业: 半导体光电子器件
3楼2011-11-27 16:24:43
轻轻飘过之
金虫 (正式写手)
- 应助: 5 (幼儿园)
- 金币: 2909.3
- 散金: 189
- 红花: 2
- 帖子: 472
- 在线: 217.1小时
- 虫号: 1401636
- 注册: 2011-09-14
- 性别: MM
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
4楼2011-11-27 20:25:20
20