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半导体氧化锌薄膜
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weibaobao
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[交流]
半导体氧化锌薄膜
最近做的膜层30nm厚,方阻不到30欧,计算得到的电阻率值达到10的负四次方,还是在ITO玻璃上面涂的膜,让人匪夷所思阿,看到的文献电阻率都是掺杂铝等后电阻率的值才那么低。。。。。。。。。。旋涂几次退火后膜层厚度没有变化
三四五层只增加到50左右。。。。
[
Last edited by weibaobao on 2012-8-29 at 20:53
]
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2012-08-27 17:39:05
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7楼
:
Originally posted by
weibaobao
at 2012-08-28 13:55:34
这个可以排除,因为我测的时候一张膜片上测好几个点,都是这样差不多的值,主要是我直接用ITO测透光率没有达到那么高,我上面说了,ITO只只经过清洁处理,而我的膜层是经过退火处理的,我直接拿未经退火的ITO玻璃作 ...
40纳米是怎么测的?没涂上的话测几个点值也都差不多。做个退火后的XRD看看氧化锌的峰?没掺杂的话40nm厚不可能达到30欧的,那样比ITO还厉害,测个空白ITO 方阻
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8楼
2012-08-28 15:18:49
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辉太狼121
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请教你这40nm厚的薄膜是长上去的还是溅射上去的呢?谢谢。
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2楼
2012-08-27 21:16:15
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weibaobao
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2楼
:
Originally posted by
辉太狼121
at 2012-08-27 21:16:15
请教你这40nm厚的薄膜是长上去的还是溅射上去的呢?谢谢。
旋涂法
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3楼
2012-08-28 08:13:24
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2012-08-28 10:17:49
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2012-08-28 11:10:10
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2012-09-22 09:21:55
注意啦,你用的衬底是导电的,ito电阻率就在10e-4。另外透过率与你参照物有关,衬底的话有可能超过100
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4楼
2012-08-28 08:42:18
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