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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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zyxfdbs

木虫 (正式写手)

[交流] 关于氧化锌发光的问题

现在氧化锌已经有大量工作，我是新手，发现了几个问题总结如下，感谢专业人士参与讨论:
问题一：氧化锌（量子点除外）发光原理是什么？
问题二：氧化锌的能带宽度为3.37eV， 这与它的发光机制有什么关系？
问题三：氧化锌发不发光（不考虑发射波长）与其尺寸有没有关系？例如，20nm左右的能发光，那么200nm，再者2um能不能发光？
感谢参与讨论。
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1楼 2012-06-29 11:15:43
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大熊6783

至尊木虫 (著名写手)
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zyxfdbs: 金币+8 2012-06-29 19:15:34
氧化锌是缺陷发光，有文献报道过；氧化锌的发光波长与尺寸有关系，这个我没找过文献，是我师兄说的，不同尺寸的发光波长不一样，20nm的可以发光，我试过；200nm没试过不知道，2微米应该很难发光吧
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4楼2012-06-29 15:46:07
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雪松ssff

金虫 (小有名气)
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zyxfdbs: 金币+10 2012-07-01 23:31:29
这个为什么LZ要把量子点除外，ZnO能发光，主要也就是ZnO QDs能发荧光啊，而且对QDs的发光机制也是研究的比较多的。ZnO发光主要与其缺陷能级和表面状态有关，再具体点发射不同颜色的光其发光机制都是不同的(如蓝光、绿光发射）。它的带隙是3.37eV，如果是缺陷能级发光的话，那发射光的能量肯定小于它的带隙。至于第三个问题吗，他的发光还是和尺寸有很大关系的，肯定是纳米级的才能发光，尺寸小（3nm左右）时发射蓝光，尺寸增大后，会发射绿光、黄光、红光，其尺寸进一步增大后，能隙接近3.37eV，那肯定就不会发光了。
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6楼2012-07-01 19:06:05
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hnjdd

木虫 (正式写手)
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zyxfdbs: 金币+2 2012-06-29 19:15:42
同求这一问题，自已的科题中钠 米二氧化钛也有这一问题
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3楼2012-06-29 11:42:33
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zyxfdbs

木虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by 雪松ssff at 2012-07-01 19:06:05
这个为什么LZ要把量子点除外，ZnO能发光，主要也就是ZnO QDs能发荧光啊，而且对QDs的发光机制也是研究的比较多的。ZnO发光主要与其缺陷能级和表面状态有关，再具体点发射不同颜色的光其发光机制都是不同的(如蓝光、 ...

现在我做到500nm左右还能发光，我很纳闷。于是，我跟实验室师兄师姐讨论。有的说只有量子点有限域效应才会发光，有的则说ZnO属于半导体，电子跃迁后，电子和空穴会重新复合，此时则会发出荧光。而且有的文献做到几个微米结构时仍然发光，此外氧化锌薄膜也是有些光致发光的器件的重要组分。

对于3.37eV我是非常好奇，因为好多关于ZnO的文献，上来介绍ZnO就说它的能带间隙是3.37eV。这貌似是它的优势，但是我又不是很懂。所以一直好奇中，麻烦雪松同学再详细解释一下。

非常感谢啊。。。
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8楼2012-07-01 23:38:30
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雪松ssff

金虫 (小有名气)
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???????:
8?: Originally posted by zyxfdbs at 2012-07-01 23:38:30
??????????500nm???????????????????????????????????????????е????????????????Ч???????е????ZnO??????壬????????????????????????????????????????е??????????? ...

3.37eV是说明它的带隙宽，应该是宽??带???导体???料的优点。与其他宽??带???导体???料相比，ZnO 的激?????缚能高达60 meV，有利于获得更高效??稳定的室温??射。
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9楼2012-07-03 13:05:18
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lingyuandage

木虫 (职业作家)
★
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???????:
9?: Originally posted by ???ssff at 2012-07-03 13:05:18
3.37eV是说明它的带隙宽，应该是宽??带???导体???料的优点。与其他宽??带???导体???料相比，ZnO 的激?????缚能高达60 meV，有利于获得更高效??稳定的室? ...

?????
??????????????
???·???????
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10楼2012-07-03 13:37:37
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zyxfdbs

木虫 (正式写手)
???????:
9?: Originally posted by ???ssff at 2012-07-03 13:05:18
3.37eV是说明它的带隙宽，应该是宽??带???导体???料的优点。与其他宽??带???导体???料相比，ZnO 的激?????缚能高达60 meV，有利于获得更高效??稳定的室? ...

????????????????
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11楼2012-07-03 14:35:46
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zyxfdbs

木虫 (正式写手)
引用回帖:
10楼: Originally posted by lingyuandage at 2012-07-03 13:37:37
这论坛
看个回复都这么累
重新发吧，兄台...

同情一下。。
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12楼2012-07-03 14:35:56
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lingyuandage

木虫 (职业作家)
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zyxfdbs: 金币+3 2012-07-03 19:20:21
引用回帖:
8楼: Originally posted by zyxfdbs at 2012-07-01 23:38:30
现在我做到500nm左右还能发光，我很纳闷。于是，我跟实验室师兄师姐讨论。有的说只有量子点有限域效应才会发光，有的则说ZnO属于半导体，电子跃迁后，电子和空穴会重新复合，此时则会发出荧光。而且有的文献做到几 ...

光的能量为h（普兰克常数）*频率
能带3.37eV
那么他发光的最大能量基本就是这个了（电子跃迁）

至于你说的复合发光的情况
对于你所提出的现有条件而言
我是没有弄懂
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13楼2012-07-03 15:10:44
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雪松ssff

金虫 (小有名气)
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11楼: Originally posted by zyxfdbs at 2012-07-03 14:35:46
是乱码啊，，，，，...

不好意思啊，重打。3.37eV是说明其禁带宽，具备宽禁带半导体的优点，决定了其在光电器件上的应用价值，至于你要问哪些具体优点和原理啊，抱歉我也不大清楚，你可以借几本半导体的书看看。文献上一般还会提到ZnO 的激子束缚能高达60 meV，激子束缚能大，说明自由激子容易和杂志结合形成发光中心，因此有利于获得更高效、稳定的室温辐射。
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14楼2012-07-03 17:29:38
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zyxfdbs

木虫 (正式写手)
引用回帖:
13楼: Originally posted by lingyuandage at 2012-07-03 15:10:44
光的能量为h（普兰克常数）*频率
能带3.37eV
那么他发光的最大能量基本就是这个了（电子跃迁）

至于你说的复合发光的情况
对于你所提出的现有条件而言
我是没有弄懂...

同在学习中，再继续等待高手来回答。。。
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15楼2012-07-03 19:20:42
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zyxfdbs

木虫 (正式写手)
引用回帖:
14楼: Originally posted by 雪松ssff at 2012-07-03 17:29:38
不好意思啊，重打。3.37eV是说明其禁带宽，具备宽禁带半导体的优点，决定了其在光电器件上的应用价值，至于你要问哪些具体优点和原理啊，抱歉我也不大清楚，你可以借几本半导体的书看看。文献上一般还会提到ZnO 的 ...

感谢分享知识。。。
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16楼2012-07-03 19:21:10
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842080130

银虫 (正式写手)
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6楼: Originally posted by 雪松ssff at 2012-07-01 19:06:05
这个为什么LZ要把量子点除外，ZnO能发光，主要也就是ZnO QDs能发荧光啊，而且对QDs的发光机制也是研究的比较多的。ZnO发光主要与其缺陷能级和表面状态有关，再具体点发射不同颜色的光其发光机制都是不同的(如蓝光、 ...

发光的颜色不是和缺陷能级有关吗 ？   难道光的颜色是和尺寸而非缺陷能级有关？
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17楼2013-04-15 21:51:48
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qingheyouyou2楼
2012-06-29 11:17   回复  
hycha5205楼
2012-06-29 19:50   回复  
basa197楼
2012-07-01 19:22   回复  
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