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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 基础研究 » 如何在硅片上长300nm的Si02层
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shucaijing

铜虫 (正式写手)

[求助] 如何在硅片上长300nm的Si02层

如何在硅片上长300nm的Si02层？我们组有真空镀膜机 但需要很高的温度 且时间长 我用其他的什么方法可以得到那？
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Comeon,Baby!!!
1楼 2012-08-24 15:08:03
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mosleo

捐助贵宾 (小有名气)

【答案】应助回帖

一般用热氧化法生长，不主张用溅射方法生长氧化硅层，会有非化学计量产物。
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5楼2012-09-02 01:25:02
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dwysd

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-08-25 08:43:58
shucaijing: 金币+3, ★★★很有帮助, 谢谢你的建议 2012-08-29 09:07:48
一般而言，如果用单质Si作为溅射靶材，Ar/O2作为溅射气体/反应气体，用一般的磁控溅射方法就可以制备SiO2薄膜，沉积速率视靶材大小和溅射功率的大小而定，但只制备300nm厚的SiO2薄膜，不会要太长时间。我曾经用该方法制备过微米级的SiO2薄膜，也就是几个小时而已。
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2楼2012-08-24 19:56:13
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
shucaijing: 金币+1, ★有帮助, 谢谢你的建议 2012-08-29 09:08:22
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-09-02 09:07:00
你的真空镀膜机指的是溅射吗？除了热氧化，长SiO2最常用的还是射频反应溅射和PECVD，这两种温度都不高
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3楼2012-08-25 17:14:08
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dzcl11

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-09-02 09:07:14
硅片上生长二氧化硅一般有两种方法：PECVD和热氧化法
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4楼2012-09-01 14:37:08
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