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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 晶体 » 基础理论 » 请教：在制备薄膜过程中，加热基片和后退火，原子的动能哪个大？
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柠檬树

新虫 (著名写手)

[求助] 请教：在制备薄膜过程中，加热基片和后退火，原子的动能哪个大？

请教：在磁控溅射制备薄膜过程中，如果加热基片，溅射原子达到基片后会从基片上获得能量进一步移动，
如果不加热基片，而是制备完薄膜后，通过后退火，原子也可以发生移动？
那么这两种方式 哪种原子移动的更厉害  或者 为原子提供的迁移能更大
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1楼 2012-07-10 10:05:52
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柠檬树

新虫 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by zhangbin07 at 2012-07-11 03:19:25
看你的温度了

是阿，能不能具体阐述下
基片加热温度 比退火温度低
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4楼2012-07-11 08:49:15
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柠檬树

新虫 (著名写手)
还是没人回答啊？
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2楼2012-07-10 21:30:03
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