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luzhong_2007

木虫 (小有名气)

[求助] 电子束蒸发在硅片上镀ZnO,为什么镀不上去?

急·····,哪位大侠用过北仪的电子束蒸发,我现在遇到一个问题:最近在硅片上镀ZnO,本底气压在2.3*10^-3Pa,生长气压在8.5*10^-3Pa,镀40min为什么镀不上去啊,源都少的啊?以前按照相同的条件镀可以在硅片上镀40min可以镀100nm左右,就最近刚镀不上去,哪位虫友有类似的问题解决了的?注:其他条件跟以前都一样,就是衬托洗了一下烘干后镀!
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luzhong_2007

木虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by hblgczy at 2012-07-04 07:50:16
再试试吧,可能是基体结合力的问题吧

嗯,试了两个星期了,终于可以镀上去了,但膜的质量不是很好,ZnO PL谱的特征峰强度很弱。我是刚弄这个论坛的,也不知道能送你什么,唯有谢谢哈~
6楼2012-07-06 18:52:30
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luzhong_2007

木虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by csgt0 at 2012-07-04 17:19:59
真空度稍微再抽高点,基片温度是否过高,灯丝电流可以再加点。

我们以前真空度就是用这个的,基片温度也一样,仪器跟人一样,偶尔要发脾气,哎~ 现在能镀上去了,但膜的质量不是很好!谢谢你的回答哈~
7楼2012-07-06 18:53:41
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luzhong_2007

木虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by sysudwl at 2012-07-04 20:50:18
如果源少的话,建议减少镀膜时间,如20或30分钟试试,可能膜太厚脱落了。如能调整下衬底与源的距离,最好也调整下试试。做试验嘛,就是多尝试,呵呵。

嗯 我们也在一个一个排除镀不上去的因素,现在也不知咋的可以镀上去了,但膜的质量不是很好,谢谢你的回答哈~
8楼2012-07-06 18:55:00
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