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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

[求助] vasp 中 NELECT的设置

通常在研究带电缺陷时,似乎我们都是通过设置NELECT来控制不同的价态。例如,如果要对氧空位的形成能Ef计算,我们都是通过NELECT的不同设置来模拟不同的"价态",然后比较形成能的大小来画出费米能级---形成能的曲线。
  现在,我想看看“外加”的一个电子在氧空位附近的局域情况(此时的体系是带电的),以前我都是通过NELECT=电子数+1来模拟的。但是,最近我想了一下似乎有不妥。因为
A.我的本意是想引入一个外加电子(这时缺陷处的价态我是不知道的,有可能存在多种价态,但我也不关心,我关心的只是这个外加电子的局域情况)
B.但实际情况却是,通过设置NELECT=电子数+1,缺陷处的价态固定为-1了(不知道我的理解对不对),这就与A中多种价态相矛盾
  越想越矛盾,NELECT到底是干什么的,是我理解错了吗?到底该如何设置这个外加的电子,是不是VASP对于情况A无能为力
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by uuv2010 at 2012-05-31 18:48:33
价态无法设置,因为这个参数的作用仅仅是给整体加了一个电荷,无法保证一定是在缺陷处

如果您说的是对的,即无法设定价态,那么很多paper中算形成能时对不同的价态是怎么设置的,谢谢
5楼2012-05-31 19:14:59
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uuv2010

荣誉版主 (职业作家)

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【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
WDD880227: 金币+1, 鼓励交流 2012-05-31 15:23:42
NELECT控制的不是某一个局域原子的价态,而是体系整体的带电荷数,所以对于A的情况是可以的,这样做的结果就是让引入了一个外加的电子
对于情况B,没有看懂。你是怎么确认缺陷态附近的价态为-1的?
2楼2012-05-31 15:07:30
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by uuv2010 at 2012-05-31 15:07:30
NELECT控制的不是某一个局域原子的价态,而是体系整体的带电荷数,所以对于A的情况是可以的,这样做的结果就是让引入了一个外加的电子
对于情况B,没有看懂。你是怎么确认缺陷态附近的价态为-1的?

对于情况B,这是我的理解,我在论坛上也看到大家似乎都是通过设置NELECT来设置缺陷处的价态,进而求不同价态下的形成能formation energy,然后讨论最稳定的价态。难道是我理解错了?如果我的理解有误,那么请问对于算形成能时的价态如何设置? 谢谢
3楼2012-05-31 18:33:40
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uuv2010

荣誉版主 (职业作家)

优秀版主

【答案】应助回帖

★ ★ ★
fzx2008: 金币+1, 谢谢指教 2012-05-31 19:19:50
xiaoluoj: 金币+2, ★★★★★最佳答案 2012-06-01 12:45:57
价态无法设置,因为这个参数的作用仅仅是给整体加了一个电荷,无法保证一定是在缺陷处
4楼2012-05-31 18:48:33
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