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vasp 中 NELECT的设置
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通常在研究带电缺陷时，似乎我们都是通过设置NELECT来控制不同的价态。例如，如果要对氧空位的形成能Ef计算，我们都是通过NELECT的不同设置来模拟不同的"价态"，然后比较形成能的大小来画出费米能级---形成能的曲线。 现在，我想看看“外加”的一个电子在氧空位附近的局域情况（此时的体系是带电的），以前我都是通过NELECT=电子数+1来模拟的。但是，最近我想了一下似乎有不妥。因为 A.我的本意是想引入一个外加电子（这时缺陷处的价态我是不知道的，有可能存在多种价态，但我也不关心，我关心的只是这个外加电子的局域情况） B.但实际情况却是，通过设置NELECT=电子数+1，缺陷处的价态固定为-1了（不知道我的理解对不对），这就与A中多种价态相矛盾 越想越矛盾，NELECT到底是干什么的，是我理解错了吗？到底该如何设置这个外加的电子，是不是VASP对于情况A无能为力 欢迎大家积极发表看法 |
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