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xiaoluoj

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[求助] vasp 中 NELECT的设置

通常在研究带电缺陷时，似乎我们都是通过设置NELECT来控制不同的价态。例如，如果要对氧空位的形成能Ef计算，我们都是通过NELECT的不同设置来模拟不同的"价态"，然后比较形成能的大小来画出费米能级---形成能的曲线。
  现在，我想看看“外加”的一个电子在氧空位附近的局域情况（此时的体系是带电的），以前我都是通过NELECT=电子数+1来模拟的。但是，最近我想了一下似乎有不妥。因为
A.我的本意是想引入一个外加电子（这时缺陷处的价态我是不知道的，有可能存在多种价态，但我也不关心，我关心的只是这个外加电子的局域情况）
B.但实际情况却是，通过设置NELECT=电子数+1，缺陷处的价态固定为-1了（不知道我的理解对不对），这就与A中多种价态相矛盾
  越想越矛盾，NELECT到底是干什么的，是我理解错了吗？到底该如何设置这个外加的电子，是不是VASP对于情况A无能为力
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带电掺杂体系形成能	vasp计算资料	第一性原理	Photochemistry
有效质量	vasp 第一性原理

1楼2012-05-30 23:11:19

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uuv2010

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【答案】应助回帖

★
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WDD880227: 金币+1, 鼓励交流 2012-05-31 15:23:42

NELECT控制的不是某一个局域原子的价态，而是体系整体的带电荷数，所以对于A的情况是可以的，这样做的结果就是让引入了一个外加的电子
对于情况B，没有看懂。你是怎么确认缺陷态附近的价态为-1的？

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2楼2012-05-31 15:07:30

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xiaoluoj

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引用回帖:

2楼: Originally posted by uuv2010 at 2012-05-31 15:07:30
NELECT控制的不是某一个局域原子的价态，而是体系整体的带电荷数，所以对于A的情况是可以的，这样做的结果就是让引入了一个外加的电子
对于情况B，没有看懂。你是怎么确认缺陷态附近的价态为-1的？

对于情况B，这是我的理解，我在论坛上也看到大家似乎都是通过设置NELECT来设置缺陷处的价态，进而求不同价态下的形成能formation energy，然后讨论最稳定的价态。难道是我理解错了？如果我的理解有误，那么请问对于算形成能时的价态如何设置？谢谢

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3楼2012-05-31 18:33:40

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