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vasp 中 NELECT的设置
通常在研究带电缺陷时,似乎我们都是通过设置NELECT来控制不同的价态。例如,如果要对氧空位的形成能Ef计算,我们都是通过NELECT的不同设置来模拟不同的"价态",然后比较形成能的大小来画出费米能级---形成能的曲线。
现在,我想看看“外加”的一个电子在氧空位附近的局域情况(此时的体系是带电的),以前我都是通过NELECT=电子数+1来模拟的。但是,最近我想了一下似乎有不妥。因为
A.我的本意是想引入一个外加电子(这时缺陷处的价态我是不知道的,有可能存在多种价态,但我也不关心,我关心的只是这个外加电子的局域情况)
B.但实际情况却是,通过设置NELECT=电子数+1,缺陷处的价态固定为-1了(不知道我的理解对不对),这就与A中多种价态相矛盾
越想越矛盾,NELECT到底是干什么的,是我理解错了吗?到底该如何设置这个外加的电子,是不是VASP对于情况A无能为力
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