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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » vasp 中 NELECT的设置
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

[求助] vasp 中 NELECT的设置

通常在研究带电缺陷时，似乎我们都是通过设置NELECT来控制不同的价态。例如，如果要对氧空位的形成能Ef计算，我们都是通过NELECT的不同设置来模拟不同的"价态"，然后比较形成能的大小来画出费米能级---形成能的曲线。
  现在，我想看看“外加”的一个电子在氧空位附近的局域情况（此时的体系是带电的），以前我都是通过NELECT=电子数+1来模拟的。但是，最近我想了一下似乎有不妥。因为
A.我的本意是想引入一个外加电子（这时缺陷处的价态我是不知道的，有可能存在多种价态，但我也不关心，我关心的只是这个外加电子的局域情况）
B.但实际情况却是，通过设置NELECT=电子数+1，缺陷处的价态固定为-1了（不知道我的理解对不对），这就与A中多种价态相矛盾
  越想越矛盾，NELECT到底是干什么的，是我理解错了吗？到底该如何设置这个外加的电子，是不是VASP对于情况A无能为力
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nfsex

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1楼 2012-05-30 23:11:19
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nfsex

金虫 (正式写手)
送红花一朵
尊敬的楼主，氧空位V(O)应该是显正价的吧！
这样NELECT=NELECT-2呢？
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nf
6楼2014-04-06 10:08:37
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uuv2010

荣誉版主 (职业作家)

优秀版主

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
WDD880227: 金币+1, 鼓励交流 2012-05-31 15:23:42
NELECT控制的不是某一个局域原子的价态，而是体系整体的带电荷数，所以对于A的情况是可以的，这样做的结果就是让引入了一个外加的电子
对于情况B，没有看懂。你是怎么确认缺陷态附近的价态为-1的？
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2楼2012-05-31 15:07:30
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by uuv2010 at 2012-05-31 15:07:30
NELECT控制的不是某一个局域原子的价态，而是体系整体的带电荷数，所以对于A的情况是可以的，这样做的结果就是让引入了一个外加的电子
对于情况B，没有看懂。你是怎么确认缺陷态附近的价态为-1的？

对于情况B，这是我的理解，我在论坛上也看到大家似乎都是通过设置NELECT来设置缺陷处的价态，进而求不同价态下的形成能formation energy，然后讨论最稳定的价态。难道是我理解错了？如果我的理解有误，那么请问对于算形成能时的价态如何设置？ 谢谢
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3楼2012-05-31 18:33:40
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uuv2010

荣誉版主 (职业作家)

优秀版主

【答案】应助回帖

★ ★ ★
fzx2008: 金币+1, 谢谢指教 2012-05-31 19:19:50
xiaoluoj: 金币+2, ★★★★★最佳答案 2012-06-01 12:45:57
价态无法设置，因为这个参数的作用仅仅是给整体加了一个电荷，无法保证一定是在缺陷处
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4楼2012-05-31 18:48:33
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