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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 带电缺陷的静态计算
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轻轻飘过之

金虫 (正式写手)

[交流] 带电缺陷的静态计算

最近在做带电缺陷的计算，发现用中性态的初始结构进行加电荷计算得到的结果和用中性态弛豫后的结构进行加电荷计算，得到的总能量总是不一样，有时甚至相差1eV左右。不知大家有没有遇到过这种情况？我是认为较小的那个总能量为稳定结构的。
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1楼2012-03-13 11:23:56
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huangll99

木虫 (职业作家)
★
小木虫(金币+0.5): 给个红包，谢谢回帖
"用中性态弛豫后的结构进行加电荷计算"----这个应该加完电荷之后还要做优化。

话说楼主算的是神马材料啊
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3楼2012-03-13 13:30:05
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uuv2010

荣誉版主 (职业作家)
★
小木虫(金币+0.5): 给个红包，谢谢回帖
是的，应该以能量为判断标准
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2楼2012-03-13 12:00:48
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uuv2010

荣誉版主 (职业作家)
★
小木虫(金币+0.5): 给个红包，谢谢回帖
猜测可能计算是是载流子掺杂的体系，呵呵
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4楼2012-03-13 13:36:15
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轻轻飘过之

金虫 (正式写手)
引用回帖:
楼: Originally posted by huangll99 at 2012-03-13 13:30:05:
"用中性态弛豫后的结构进行加电荷计算"----这个应该加完电荷之后还要做优化。

话说楼主算的是神马材料啊

加完电荷后是要优化的。计算的材料是CdTe。
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5楼2012-03-13 13:56:04
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