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带电缺陷的静态计算
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轻轻飘过之
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[交流]
带电缺陷的静态计算
最近在做带电缺陷的计算,发现用中性态的初始结构进行加电荷计算得到的结果和用中性态弛豫后的结构进行加电荷计算,得到的总能量总是不一样,有时甚至相差1eV左右。不知大家有没有遇到过这种情况?我是认为较小的那个总能量为稳定结构的。
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2012-03-13 11:23:56
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uuv2010
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是的,应该以能量为判断标准
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2012-03-13 12:00:48
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huangll99
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"用中性态弛豫后的结构进行加电荷计算"----这个应该加完电荷之后还要做优化。
话说楼主算的是神马材料啊
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3楼
2012-03-13 13:30:05
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uuv2010
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猜测可能计算是是载流子掺杂的体系,呵呵
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4楼
2012-03-13 13:36:15
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轻轻飘过之
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Originally posted by
huangll99
at 2012-03-13 13:30:05:
"用中性态弛豫后的结构进行加电荷计算"----这个应该加完电荷之后还要做优化。
话说楼主算的是神马材料啊
加完电荷后是要优化的。计算的材料是CdTe。
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5楼
2012-03-13 13:56:04
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maoshanjun
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我想问一下楼主,加电荷前后NUPDOWN会变化吗?
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6楼
2014-06-04 09:06:47
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phdping
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想问楼主,加缺陷后都必须需要先优化在进行性质计算吗?如果做的是NiO材料的本征缺陷研究呢
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7楼
2014-09-04 20:04:02
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送TA红花
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晨天有你
禁虫
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8楼
2021-09-01 18:10:17
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