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nanokiller

银虫 (小有名气)

[交流] 一步溅射制备CIGS吸收层 已有15人参与

不知大家有谁做过一步溅射制备CIGS或CIS吸收层的工作?或谈一下这方面的了解/见解?相关资料?
我所了解的是台湾威奈公司在从事这方面的工作。
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diamondli99

木虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
8楼: Originally posted by nanokiller at 2012-01-09 10:56:51:
再问一下,你的工艺中是否要用到KCN?

没有,其实如果硒化工艺控制的好,尤其是预制层的成分梯度控制的好,真正做到表面贫铜,KCN完全可以省略。当然我不能说这步工艺没有帮助,也许在我现在的基础上加上这步工艺可能对进一步提高效率有帮助,只是我现在没做而已。
9楼2012-01-09 13:11:59
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nanokiller

银虫 (小有名气)

我觉得即使一步能够溅射出合乎元素比例要求的CIGS,是否沉积速率也是个问题?要镀2um的CIGS ,用射频磁控溅射得用几个小时吧?请有经验的朋友,指教。
A little bit more.
2楼2012-01-06 11:18:34
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diamondli99

木虫 (正式写手)

★ ★
lovibond(金币+2): 鼓励交流 2012-01-08 10:41:56
天也潇潇: 回帖置顶 2012-02-29 20:49:42
记得曾经有人给我发站内信讨论这个问题。我想公开表达一下我的观点。我不认为一步溅射的方法可以制备性能较好的CIGS吸收层;我的主要观点为:
1. 难以保证吸收层的化学计量比,虽然CIGS电池对吸收层的化学计量比并不严格,但是对CGI和GGI的要求还是有的;换言之你即使采用按照严格化学计量比的四元靶材进行溅射,也未必获得与靶材成分完全一致的吸收层薄膜。也许它是CIGS薄膜,但是难以获得较高的效率;
2. 一步溅射的温度到底有多少?能不能保证四元相的充分形成?也许有人说,我的靶材就是CIGS,还要高温去保证四元相吗?依据我的试验结论,高温是必须的,否则还是难以保证高效率。
以上是我的粗识浅见,欢迎大家拍砖。其实我真的想通过讨论的方式获取更多的知识,希望大家教我。谢谢!

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3楼2012-01-07 08:41:39
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nanokiller

银虫 (小有名气)

送鲜花一朵
引用回帖:
: Originally posted by diamondli99 at 2012-01-07 08:41:39:
记得曾经有人给我发站内信讨论这个问题。我想公开表达一下我的观点。我不认为一步溅射的方法可以制备性能较好的CIGS吸收层;我的主要观点为:
1. 难以保证吸收层的化学计量比,虽然CIGS电池对吸收层的化学计量比 ...

请问你现在效率能做到多少?CIGS吸收层要镀多长时间?靶的功率密度是多少?请不吝指教。
A little bit more.
4楼2012-01-07 16:27:44
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