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nanokiller

银虫 (小有名气)

[交流] 一步溅射制备CIGS吸收层已有15人参与

不知大家有谁做过一步溅射制备CIGS或CIS吸收层的工作?或谈一下这方面的了解/见解?相关资料?
我所了解的是台湾威奈公司在从事这方面的工作。
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nanokiller

银虫 (小有名气)

我觉得即使一步能够溅射出合乎元素比例要求的CIGS,是否沉积速率也是个问题?要镀2um的CIGS ,用射频磁控溅射得用几个小时吧?请有经验的朋友,指教。
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2楼2012-01-06 11:18:34
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nanokiller

银虫 (小有名气)

送鲜花一朵
引用回帖:
: Originally posted by diamondli99 at 2012-01-07 08:41:39:
记得曾经有人给我发站内信讨论这个问题。我想公开表达一下我的观点。我不认为一步溅射的方法可以制备性能较好的CIGS吸收层;我的主要观点为:
1. 难以保证吸收层的化学计量比,虽然CIGS电池对吸收层的化学计量比 ...

请问你现在效率能做到多少?CIGS吸收层要镀多长时间?靶的功率密度是多少?请不吝指教。
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4楼2012-01-07 16:27:44
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nanokiller

银虫 (小有名气)

引用回帖:
: Originally posted by diamondli99 at 2012-01-08 07:11:22:
我没有用一步溅射的方法,电池的效率,300X300mm效率为13%。我用的溅射后硒化的方法,所以工艺周期比较长。

300X300mm的能做到13%在国内也可以数数了,尤其是溅射后硒化做出来的。希望能多与你多交流。我最近在开展这方面的调研。
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6楼2012-01-08 10:30:42
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nanokiller

银虫 (小有名气)

引用回帖:
: Originally posted by diamondli99 at 2012-01-08 07:11:22:
我没有用一步溅射的方法,电池的效率,300X300mm效率为13%。我用的溅射后硒化的方法,所以工艺周期比较长。

再问一下,你的工艺中是否要用到KCN?
A little bit more.
8楼2012-01-09 10:56:51
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nanokiller

银虫 (小有名气)

引用回帖:
: Originally posted by diamondli99 at 2012-01-09 13:11:59:
没有,其实如果硒化工艺控制的好,尤其是预制层的成分梯度控制的好,真正做到表面贫铜,KCN完全可以省略。当然我不能说这步工艺没有帮助,也许在我现在的基础上加上这步工艺可能对进一步提高效率有帮助,只是我现 ...

多谢回复!
(1)不知你所讲的预制层的成分梯度是讲CuGaIn元素层需要一个成分梯度吗?还是说硒化后的CIGS的Ga成分梯度?(我的预制层为CuGa/In/CuGa/In/CuGa/In三双叠层,我们追求的是均匀的预制层,难道是大错特错吗?)
(2)大家都知道CIGS的难点就是硒化,文献中有讲要控制预制层的合金相(Cu11In9),不知你的观点如何?是否合金相的控制是必需的?
(3)若需要控制预制层的元素梯度,哪是否好多文献报导的预制层的200度左右的合金化这一步退火工艺根本不需要?
(4)你的硒化是用RTP工艺吗?
希望不吝指教。
看你的金币很多,就不送你红花了。呵呵。
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10楼2012-01-09 18:49:29
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nanokiller

银虫 (小有名气)

自己顶一下。等待Dimondli99兄解惑。
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11楼2012-01-12 10:29:24
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nanokiller

银虫 (小有名气)

引用回帖:
14楼: Originally posted by ftfxiaoyu at 2012-02-28 10:31:57
1. CIGS吸收层的化学计量比可以不用研究化学计量比的四元靶材溅射,吸收层薄膜与靶材成分不同,在靶材中减少多的,增加少的。
2. 溅射沉积的高温是必须的,否则黄铜矿相不一定形成,需要的温度有报道约550度,效率 ...

多谢参入讨论。看来 有些文献说需要Cu11In9相,是有误导的嫌疑。
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18楼2012-06-01 09:41:30
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nanokiller

银虫 (小有名气)

引用回帖:
15楼: Originally posted by minglight9 at 2012-02-29 09:33:47
问一下,硒化工艺中,你们都是用什么设备进行硒化啊?国产的设备还是进口的设备?自己打造还是交给厂家定制?有相关厂家的资料吗?

我们用的是合肥的RTP炉子。
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19楼2012-06-01 09:42:33
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