一步溅射制备CIGS吸收层 - 能源 - 新能源 - 第2页小木虫论坛-学术科研互动平台

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11楼2012-01-12 10:29:24

minglight9

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2楼: Originally posted by nanokiller at 2012-01-06 11:18:34:
我觉得即使一步能够溅射出合乎元素比例要求的CIGS，是否沉积速率也是个问题？要镀2um的CIGS ，用射频磁控溅射得用几个小时吧？请有经验的朋友，指教。

我也有一些不成功的经验，就是沉积率不是问题，问题是一步溅射法所得的膜层达不到P型属性啊。成N型了。如何解决这个问题？？

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再牛逼的肖邦也弹不出老子的悲伤。

12楼2012-02-10 16:46:34

petert

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我也在做这方面的研究，希望可以相互交流

呜嘎嘎呜嘎嘎

13楼2012-02-10 21:52:11

ftfxiaoyu

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天也潇潇(金币+1): 鼓励交流 2012-03-11 19:23:18

1. CIGS吸收层的化学计量比可以不用研究化学计量比的四元靶材溅射，吸收层薄膜与靶材成分不同，在靶材中减少多的，增加少的。
2. 溅射沉积的高温是必须的，否则黄铜矿相不一定形成，需要的温度有报道约550度，效率8%左右。
3.预制层的成分均匀是横向，纵向需要成分梯度，Ga梯度可能不好形成，表面贫Cu也是必须的。
（4）如果形成合金相（Cu11In9），硒化后成分均匀性可能大打折扣。
（3）首先要生成需要的相，再是梯度形成。

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14楼2012-02-28 10:31:57

minglight9

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问一下，硒化工艺中，你们都是用什么设备进行硒化啊？国产的设备还是进口的设备？自己打造还是交给厂家定制？有相关厂家的资料吗？

再牛逼的肖邦也弹不出老子的悲伤。

15楼2012-02-29 09:33:47

huobingyao

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一步溅射的话没有贫富铜的过程啊
虽然没有充足的理论依据
但这样确实对效率有提高。。

我已成仙，有事求签~

16楼2012-03-10 22:37:58

rzy1020

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3楼: Originally posted by diamondli99 at 2012-01-07 08:41:39
记得曾经有人给我发站内信讨论这个问题。我想公开表达一下我的观点。我不认为一步溅射的方法可以制备性能较好的CIGS吸收层；我的主要观点为：
1. 难以保证吸收层的化学计量比，虽然CIGS电池对吸收层的化学计量比并 ...

1、我觉得靶材成份是要调整的，当然薄膜与靶材的成分比不同是肯定的，但是可能通过调节靶材的成份比来得我想要的薄膜的成份比
2、进一步的退火处理是需要的，只是与金属预置层后硒化的气氛会不同
我的拙见，欢迎拍砖too

17楼2012-05-28 16:48:55

nanokiller

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14楼: Originally posted by ftfxiaoyu at 2012-02-28 10:31:57
1. CIGS吸收层的化学计量比可以不用研究化学计量比的四元靶材溅射，吸收层薄膜与靶材成分不同，在靶材中减少多的，增加少的。
2. 溅射沉积的高温是必须的，否则黄铜矿相不一定形成，需要的温度有报道约550度，效率 ...

多谢参入讨论。看来有些文献说需要Cu11In9相，是有误导的嫌疑。

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18楼2012-06-01 09:41:30