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nanokiller

银虫 (小有名气)

自己顶一下。等待Dimondli99兄解惑。
A little bit more.
11楼2012-01-12 10:29:24
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minglight9

铁杆木虫 (著名写手)

工程师

★
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引用回帖:
2楼: Originally posted by nanokiller at 2012-01-06 11:18:34:
我觉得即使一步能够溅射出合乎元素比例要求的CIGS,是否沉积速率也是个问题?要镀2um的CIGS ,用射频磁控溅射得用几个小时吧?请有经验的朋友,指教。

我也有一些不成功的经验,就是沉积率不是问题,问题是一步溅射法所得的膜层达不到P型属性啊。成N型了。如何解决这个问题??
再牛逼的肖邦也弹不出老子的悲伤。
12楼2012-02-10 16:46:34
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petert

银虫 (小有名气)

★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
我也在做这方面的研究,希望可以相互交流
呜嘎嘎呜嘎嘎
13楼2012-02-10 21:52:11
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ftfxiaoyu

木虫 (正式写手)

★ ★
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天也潇潇(金币+1): 鼓励交流 2012-03-11 19:23:18
1. CIGS吸收层的化学计量比可以不用研究化学计量比的四元靶材溅射,吸收层薄膜与靶材成分不同,在靶材中减少多的,增加少的。
2. 溅射沉积的高温是必须的,否则黄铜矿相不一定形成,需要的温度有报道约550度,效率8%左右。
3.预制层的成分均匀是横向,纵向需要成分梯度,Ga梯度可能不好形成,表面贫Cu也是必须的。
(4)如果形成合金相(Cu11In9),硒化后成分均匀性可能大打折扣。
(3)首先要生成需要的相,再是梯度形成。
14楼2012-02-28 10:31:57
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minglight9

铁杆木虫 (著名写手)

工程师

★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
问一下,硒化工艺中,你们都是用什么设备进行硒化啊?国产的设备还是进口的设备?自己打造还是交给厂家定制?有相关厂家的资料吗?
再牛逼的肖邦也弹不出老子的悲伤。
15楼2012-02-29 09:33:47
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huobingyao

木虫 (著名写手)

店小二&忽忽聪

★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
一步溅射的话 没有贫富铜的过程啊
虽然没有充足的理论依据
但这样确实对效率有提高。。
我已成仙,有事求签~
16楼2012-03-10 22:37:58
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rzy1020

木虫 (小有名气)

★
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引用回帖:
3楼: Originally posted by diamondli99 at 2012-01-07 08:41:39
记得曾经有人给我发站内信讨论这个问题。我想公开表达一下我的观点。我不认为一步溅射的方法可以制备性能较好的CIGS吸收层;我的主要观点为:
1. 难以保证吸收层的化学计量比,虽然CIGS电池对吸收层的化学计量比并 ...

1、我觉得靶材成份是要调整的,当然薄膜与靶材的成分比不同是肯定的,但是可能通过调节靶材的成份比来得我想要的薄膜的成份比
2、进一步的退火处理是需要的,只是与金属预置层后硒化的气氛会不同
我的拙见,欢迎拍砖too
17楼2012-05-28 16:48:55
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nanokiller

银虫 (小有名气)

引用回帖:
14楼: Originally posted by ftfxiaoyu at 2012-02-28 10:31:57
1. CIGS吸收层的化学计量比可以不用研究化学计量比的四元靶材溅射,吸收层薄膜与靶材成分不同,在靶材中减少多的,增加少的。
2. 溅射沉积的高温是必须的,否则黄铜矿相不一定形成,需要的温度有报道约550度,效率 ...

多谢参入讨论。看来 有些文献说需要Cu11In9相,是有误导的嫌疑。
A little bit more.
18楼2012-06-01 09:41:30
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nanokiller

银虫 (小有名气)

引用回帖:
15楼: Originally posted by minglight9 at 2012-02-29 09:33:47
问一下,硒化工艺中,你们都是用什么设备进行硒化啊?国产的设备还是进口的设备?自己打造还是交给厂家定制?有相关厂家的资料吗?

我们用的是合肥的RTP炉子。
A little bit more.
19楼2012-06-01 09:42:33
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URHX5454

金虫 (小有名气)

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
顶一下,希望再看到各位高手的讨论,最近在调研CIS的制备
20楼2012-08-21 21:33:39
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