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dwd0826

铁杆木虫 (著名写手)


[交流] 关于vasp中ISMEAR参数的几个问题

对于ISMEAR参数有两个问题向大家咨询:
1.ISMEAR设置,看了几篇关于MC结构的文献,没明确说到其在结构弛豫时ISMEAR值,因此向大家求助,对于像MC体系结构的弛豫与静态计算的ISMEAR一般设置多少?另外,对于不同ISMEAR值,在比较大体系下有没什么快速检验SIGMA取值适当与否的途径?
2.假设对于绝缘体,取ISMEAR=1,与ISMEAR=-5有多大区别?手册上写的是:For relaxations in metals always use ISMEAR=1 or 2, and a appropriated SIGMA value. Mind: Avoid to use ISMEAR>0 for semiconductors and insulators, since it might cuase problem.
期待大家的解答!
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dwd0826

铁杆木虫 (著名写手)


自己回一个,求解答:tiger28
3楼2011-12-18 09:29:39
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liuzhun168

木虫 (正式写手)


★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
dwd0826: 金币+10, thx! 2012-12-29 10:31:45
0.02
4楼2012-12-29 10:31:15
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orangemilk

新虫 (初入文坛)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
就像手册上写的那样,ISMEAR=1或2时,是针对于金属而言的,对于绝缘体或半导体来说一般选取的是0或-5,而取-5时候,主要是能量值得差异,其TOTEN 和energy without entropy的值是一样的~
6楼2012-12-29 16:25:01
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dwd0826

铁杆木虫 (著名写手)


引用回帖:
6楼: Originally posted by orangemilk at 2012-12-29 16:25:01
就像手册上写的那样,ISMEAR=1或2时,是针对于金属而言的,对于绝缘体或半导体来说一般选取的是0或-5,而取-5时候,主要是能量值得差异,其TOTEN 和energy without entropy的值是一样的~

感谢你的回答
7楼2012-12-29 21:29:50
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简单回复
2011-12-17 22:39   回复  
2012-12-29 10:31   回复  
是0
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