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dwd0826

铁杆木虫 (著名写手)

[交流] 关于vasp中ISMEAR参数的几个问题

对于ISMEAR参数有两个问题向大家咨询：
1.ISMEAR设置，看了几篇关于MC结构的文献，没明确说到其在结构弛豫时ISMEAR值，因此向大家求助，对于像MC体系结构的弛豫与静态计算的ISMEAR一般设置多少？另外，对于不同ISMEAR值，在比较大体系下有没什么快速检验SIGMA取值适当与否的途径？
2.假设对于绝缘体，取ISMEAR＝1，与ISMEAR＝-5有多大区别？手册上写的是：For relaxations in metals always use ISMEAR＝1 or 2, and a appropriated SIGMA value. Mind: Avoid to use ISMEAR>0 for semiconductors and insulators, since it might cuase problem.
期待大家的解答！
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1楼 2011-12-17 22:11:33
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dwd0826

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by orangemilk at 2012-12-29 16:25:01
就像手册上写的那样，ISMEAR=1或2时，是针对于金属而言的，对于绝缘体或半导体来说一般选取的是0或-5,而取-5时候，主要是能量值得差异，其TOTEN 和energy without entropy的值是一样的~

感谢你的回答
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7楼2012-12-29 21:29:50
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dwd0826

铁杆木虫 (著名写手)
自己回一个，求解答:tiger28
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3楼2011-12-18 09:29:39
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orangemilk

新虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
就像手册上写的那样，ISMEAR=1或2时，是针对于金属而言的，对于绝缘体或半导体来说一般选取的是0或-5,而取-5时候，主要是能量值得差异，其TOTEN 和energy without entropy的值是一样的~
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6楼2012-12-29 16:25:01
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