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enola

捐助贵宾 (正式写手)

[求助] defect states 与电子密度

在很多文章中看到,计算得到的pdos中有defects state,然后作者能把这个defect state映射到电荷密度分布度(如图,图1是计算得到的pdos, 有一个defect state,图2中把对应这个defect state的电荷密度作出来)。不知道这个是怎么作的呢。我想一个是到空间(能量),可另外一个是是空间,不知道怎么对应啊,各位哦高手能分享下经验吗?谢谢。
图1

图2
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timeflies..
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goldenfisher

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

ben_ladeng(专家考核): 2012-01-14 18:15:59
如果结构优化,就应该比较优化前后的电荷密度差值,或者比较此时有无那个参杂原子时,其他原子位置不动的电荷密度差值。
isosurface的数值是可以调整的,在计算的时候可以设定,或者画图的时候可以选择、
4楼2011-11-23 11:01:10
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goldenfisher

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

enola(金币+10): 谢谢 2011-11-23 10:45:23
ben_ladeng(专家考核): 2012-01-14 18:15:51
Defect state应该是和没有缺陷的时候的状态比较而得到的。比如第一个图,分别画出有无defect的时候的DOS,或者画出各个原子的pdos,然后二者比较即可看出你要的不同。
至于第二个图,则是两个构型的电荷密度之差。即一个是理想的无缺陷时的电荷密度,一个是有缺陷时的电荷密度,二者相减,即可看出defect state在何处分布。
在实际中,我是这么做的。
2楼2011-11-23 10:42:54
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enola

捐助贵宾 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by goldenfisher at 2011-11-23 10:42:54:
Defect state应该是和没有缺陷的时候的状态比较而得到的。比如第一个图,分别画出有无defect的时候的DOS,或者画出各个原子的pdos,然后二者比较即可看出你要的不同。
至于第二个图,则是两个构型的电荷密度之差。 ...

Defect state应该是和没有缺陷的时候的状态比较而得到的。比如第一个图,分别画出有无defect的时候的DOS,或者画出各个原子的pdos,然后二者比较即可看出你要的不同。
#是的,第一个图是通过比较没有缺陷和有缺陷时得到的。
至于第二个图,则是两个构型的电荷密度之差。即一个是理想的无缺陷时的电荷密度,一个是有缺陷时的电荷密度,二者相减,即可看出defect state在何处分布。
在实际中,我是这么做的。
#这里的话有有个疑问,在引入缺陷后,我们会有一个结构优化,再计算电荷密度,这样和第一个无缺陷的电荷密度相减,会不会有问题呢?比如原先在某点的电荷密度主要是由A和B的共价键形成的,但是结构优化后,A和B不再有共价键,而是C原子与B形成共价键,这个应该不能算缺陷啊。

还有个问题是,paper上写道,在PDOS的-5eV处,引入缺陷后发现一个额外的态,然后作者画出来与-5eV对应的电荷密度。那我在画电荷密度时,怎么使电荷密度的isosurface值和这个-5eV对应呢?(如图)
图一:

图二:
timeflies..
3楼2011-11-23 10:56:19
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