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defect states 与电子密度
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在很多文章中看到，计算得到的pdos中有defects state，然后作者能把这个defect state映射到电荷密度分布度（如图，图1是计算得到的pdos， 有一个defect state，图2中把对应这个defect state的电荷密度作出来）。不知道这个是怎么作的呢。我想一个是到空间（能量），可另外一个是是空间，不知道怎么对应啊，各位哦高手能分享下经验吗？谢谢。 图1  图2  |
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 第一性原理 | VASP |
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Defect state应该是和没有缺陷的时候的状态比较而得到的。比如第一个图，分别画出有无defect的时候的DOS,或者画出各个原子的pdos，然后二者比较即可看出你要的不同。 #是的，第一个图是通过比较没有缺陷和有缺陷时得到的。 至于第二个图，则是两个构型的电荷密度之差。即一个是理想的无缺陷时的电荷密度，一个是有缺陷时的电荷密度，二者相减，即可看出defect state在何处分布。 在实际中，我是这么做的。 #这里的话有有个疑问，在引入缺陷后，我们会有一个结构优化，再计算电荷密度，这样和第一个无缺陷的电荷密度相减，会不会有问题呢？比如原先在某点的电荷密度主要是由A和B的共价键形成的，但是结构优化后，A和B不再有共价键，而是C原子与B形成共价键，这个应该不能算缺陷啊。 还有个问题是，paper上写道，在PDOS的-5eV处，引入缺陷后发现一个额外的态，然后作者画出来与-5eV对应的电荷密度。那我在画电荷密度时，怎么使电荷密度的isosurface值和这个-5eV对应呢？（如图） 图一：  图二：  |
3楼2011-11-23 10:56:19
goldenfisher
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