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enola

捐助贵宾 (正式写手)

[求助] defect states 与电子密度

在很多文章中看到，计算得到的pdos中有defects state，然后作者能把这个defect state映射到电荷密度分布度（如图，图1是计算得到的pdos， 有一个defect state，图2中把对应这个defect state的电荷密度作出来）。不知道这个是怎么作的呢。我想一个是到空间（能量），可另外一个是是空间，不知道怎么对应啊，各位哦高手能分享下经验吗？谢谢。
图1

图2
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timeflies..
1楼 2011-11-22 14:54:59
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goldenfisher

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

enola(金币+10): 谢谢 2011-11-23 10:45:23
ben_ladeng(专家考核): 2012-01-14 18:15:51
Defect state应该是和没有缺陷的时候的状态比较而得到的。比如第一个图，分别画出有无defect的时候的DOS,或者画出各个原子的pdos，然后二者比较即可看出你要的不同。
至于第二个图，则是两个构型的电荷密度之差。即一个是理想的无缺陷时的电荷密度，一个是有缺陷时的电荷密度，二者相减，即可看出defect state在何处分布。
在实际中，我是这么做的。
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2楼2011-11-23 10:42:54
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enola

捐助贵宾 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by goldenfisher at 2011-11-23 10:42:54:
Defect state应该是和没有缺陷的时候的状态比较而得到的。比如第一个图，分别画出有无defect的时候的DOS,或者画出各个原子的pdos，然后二者比较即可看出你要的不同。
至于第二个图，则是两个构型的电荷密度之差。 ...

Defect state应该是和没有缺陷的时候的状态比较而得到的。比如第一个图，分别画出有无defect的时候的DOS,或者画出各个原子的pdos，然后二者比较即可看出你要的不同。
#是的，第一个图是通过比较没有缺陷和有缺陷时得到的。
至于第二个图，则是两个构型的电荷密度之差。即一个是理想的无缺陷时的电荷密度，一个是有缺陷时的电荷密度，二者相减，即可看出defect state在何处分布。
在实际中，我是这么做的。
#这里的话有有个疑问，在引入缺陷后，我们会有一个结构优化，再计算电荷密度，这样和第一个无缺陷的电荷密度相减，会不会有问题呢？比如原先在某点的电荷密度主要是由A和B的共价键形成的，但是结构优化后，A和B不再有共价键，而是C原子与B形成共价键，这个应该不能算缺陷啊。

还有个问题是，paper上写道，在PDOS的-5eV处，引入缺陷后发现一个额外的态，然后作者画出来与-5eV对应的电荷密度。那我在画电荷密度时，怎么使电荷密度的isosurface值和这个-5eV对应呢？（如图）
图一：

图二：
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timeflies..
3楼2011-11-23 10:56:19
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goldenfisher

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

ben_ladeng(专家考核): 2012-01-14 18:15:59
如果结构优化，就应该比较优化前后的电荷密度差值，或者比较此时有无那个参杂原子时，其他原子位置不动的电荷密度差值。
isosurface的数值是可以调整的，在计算的时候可以设定，或者画图的时候可以选择、
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4楼2011-11-23 11:01:10
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