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vasp计算的半导体结构,bands带隙比dos里面的大,何故?
各位大仙,本人在计算半导体结构的时候,为何bands里面的带隙比dos里面的大一些?感觉明显的对应不上。
在计算SCF的时候,ISMEAR=0,SIGMA=0.01,bands的时候,ISMEAR=0,SIGMA=0.01,DOS计算时候ISMEAR=0,SIGMA=0.01.计算结束,scf里面的费米能级是-2.1285,bands里面的费米能级是-2.2053,dos里面的费米能级是-2.1273。
计算scf的时候K点选取为:4x4x2,dos计算时候K点选取为12x12x2。
下面是对应不上的图片:
希望大家多多帮忙。
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