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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？
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haowenping

木虫 (著名写手)

[求助] vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？

各位大仙，本人在计算半导体结构的时候，为何bands里面的带隙比dos里面的大一些？感觉明显的对应不上。
在计算SCF的时候，ISMEAR=0，SIGMA=0.01，bands的时候，ISMEAR=0，SIGMA=0.01，DOS计算时候ISMEAR=0，SIGMA=0.01.计算结束，scf里面的费米能级是-2.1285，bands里面的费米能级是-2.2053，dos里面的费米能级是-2.1273。
计算scf的时候K点选取为：4x4x2，dos计算时候K点选取为12x12x2。
下面是对应不上的图片：
希望大家多多帮忙。
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人有多大胆，地有多大产！
1楼2011-11-22 10:34:49
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lastfreedom

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
haowenping(金币+3): 谢谢~ 2011-11-22 18:49:27
贺仪(金币+1): 多谢指教！ 2011-11-23 09:13:31
是不是ISMEAR的原因？ 体系不大的话算DOS用ISMEAR = -5比较合适吧，请指教~
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3楼2011-11-22 15:04:16
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